三星成功试产14奈米FinFET技术芯片

2012-12-22 09:12:13来源: 精实新闻
    韩国联合通讯社(Yonhap)、EETimes报导,三星电子(Samsung Electronics Co.)21日宣布,该公司已成功试产出旗下第一颗采用鳍式场效电晶体(FinFET)技术的14奈米制程测试晶片。
三星表示,这款测试晶片是和安谋(ARM)、Cadence、Mentor Graphics以及Synopsis共同开发出来的成果。FinFET技术可让电源运用更有效率。
三星表示,该公司计划与上述四家夥伴共同推出采用14奈米FinFET制程技术的产品。三星系统大规模集成电路(System Large Scale Integrated Circuit)部门主管Choi Kyu-myung表示,14奈米FinFET制程技术可提升装置效能并降低耗电量,进一步改善行动环境。

这是过去一个月以来第二款采用14奈米FinFET制程技术的测试晶片获得发表。Cadence甫于11月推出一款搭载安谋Cortex-M0处理器架构的14奈米测试晶片,采用的是IBM的FinFET制程技术。
台积电(2330)技术长孙元成曾在11月23日指出,该公司的20奈米系统单晶片(SoC)解决方案预计今年Q4即可试产(risk production),而明(2013)年11月则预计推出16奈米FinFET制程(技术水准相当于竞争者的14奈米)的试产。至于再下一个世代的10奈米FinFET制程,台积电则预计于2015年底推出。
孙元成当时表示,跨入16奈米制程后则是FinFET架构的天下,而台积电将使用安谋首款64位元处理器v8来测试16奈米FinFET制程,并可望在明年11月推出首款测试晶片。

关键字:三星  FinFET

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2012/1222/article_18061.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
三星
FinFET

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved