英特尔明年中 回击ARM阵营

2012-12-12 15:51:20来源: 工商时报
    处理器大厂英特尔宣布采用新一代3D晶体管Tri-Gate架构的22纳米制程,已可以生产智能型手机及平板计算机使用的系统单芯片(SoC),预计明年中旬开始以该制程量产Atom处理器,并希望藉此回攻由ARM阵营芯片供应商高通(Qualcomm)、辉达(NVIDIA)等所掌控的行动装置核心应用处理器市场。

     智能型手机及平板计算机的销售畅旺,但内建芯片有逾9成是采用ARM架构的应用处理器,英特尔虽然推出Atom处理器应战,但目前仅有摩托罗拉、联想等少数手机厂采用,一直无法有效拓展市场占有率。

     由于英特尔Atom处理器的功耗过高问题,是手机厂不想采用其芯片的主要原因,所以英特尔利用制程微缩来大幅降低功耗,昨日在旧金山举行的国际电子元件会议(IEDM)中,宣布新一代22纳米制程已可用来生产行动装置SoC芯片,亦即英特尔将于明年推出、代号为Silvermont的Atom处理器。

     以制程技术来看,高通Snapdragon已经走到28纳米世代,辉达Tegra 3虽然仍采用40纳米投片,但明年初将推出的Tegra 4也将微缩到28纳米,德仪OMAP 5也是同样采用28纳米制程。而英特尔目前量产中的智能型手机用Atom处理器,仍使用32纳米制程生产。

     英特尔22纳米制程是目前全球唯一采用3D晶体管架构的制程技术,现在用来生产Ivy Bridge处理器,由于技术已经十分成熟,所以将在明年中旬左右开始用来生产新一代Atom处理器。据了解,采用22纳米制程的Atom芯片效能将较现在32纳米制程提高20~65%,功耗也能大幅降低到足以与ARM应用处理器相抗衡。

     对于ARM阵营来说,高通、辉达等业者明年仍将以28纳米为主要制程,台积电几乎通吃所有代工订单,但以晶圆代工厂的制程技术蓝图来看,要真正采用3D晶体管的鳍式场效晶体管(FinFET)架构,也要等到16/14纳米制程,亦即2014年之后才可能导入量产。



 行动装置用系统单芯片,近年来多为ARM阵营芯片供应商高通、辉达等所掌控,英特尔目前也正全力发展。图/美联社

关键字:英特尔  ARM

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2012/1212/article_17786.html
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