三星超高速闪存芯片率先进入10nm时代

2012-11-17 21:10:32来源: 中关村在线
    三星曾在今年8月份表示将会推出超高速eMMC存储芯片,现在三星兑现了承诺,并正式推出了采用10nm级别工艺打造的64GB eMMC Pro Class 2000芯片。



260MB/s和50MB/s的读写速度 的芯片


这种新型芯片采用的是JEDEC eMMC4.5标准接口,较前代产品在体积缩小了20%的同时拥有30%的性能提升。此外,三星还计划在明年推出新的接口标准来充分发挥新型芯片的性能。

三星表示,这种64GB eMMC Pro Class 2000芯片拥有2000/5000IOPS,远超前代产品的1500/3500IOPS,具备260MB/s和50MB/s的读写速度。

据悉,这种新型芯片已经于上月底开始投产,尽管三星对其未来的用途三缄其口,但很大可能上是为超薄智能手机和平板电脑所准备的。 (本文来源:中关村在线网站 )

关键字:三星  超高速闪存芯片

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2012/1117/article_17067.html
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