GF:3D FinFET技术领先台积电

2012-09-29 12:55:09来源: 经济日报
    晶圆代工大厂格罗方德(Globalfoundries)昨(28)日宣布,旗下以3D鳍式晶体管(FinFET)导入的14纳米元件,预计2013年试产,2014年量产,“已可直接与英特尔竞争”,技术层次更领先台积电半个世代。

格罗方德由微处理器大厂超微分割独立,近年快速崛起。市调机构IC Insights日前公布今年全球晶圆代工厂排名预估,格罗方德有望挤下联电,成为晶圆代工二哥,这次直接挑战龙头台积电,是台积电继三星大张旗鼓进军晶圆代工之后,再次面临同业威胁,但台积电昨天不愿对竞争对手置评。

尽管面临竞争强敌压境,外资仍一路看好台积电后市,截至昨天为止,已连续16个交易日买超,昨天大买逾5.9万张,推升台积电股价大涨2.2元、收89.8元,改写还原权值后历史新高价。

格罗方德全球营销暨业务副总诺恩(Michael Noonen)昨天首度来台,除了与台湾媒体面对面接触,更透过全球电话会议与中国大陆、日本媒体进行记者会,说明格罗方德技术进展。

诺恩指出,格罗方德以3D鳍式晶体管导入的14纳米元件,预计2013年导入第1个客户试产,2014年量产,是晶圆代工界第1家,也是目前唯一可提供客户从28纳米直接跳过20纳米转换到14纳米制程的厂商。

相较于台积电规划2013年底至2014年初导入3D鳍式晶体管的制程技术为16纳米,格罗方德抢先推出14纳米,领先台积电半个世代,诺恩更直言“相关技术已可与英特尔直接竞争”。

不过,台积电董事长张忠谋曾表示:“台积电16纳米3D鳍式晶体管相当于业界的14纳米效率”。

关键字:FinFET  3D

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2012/0929/article_15765.html
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