英特尔称已掌握10纳米晶片制造工艺

2012-09-15 12:15:35来源: 钜亨网新闻中心
     北京时间9月14日下午消息,英特尔研究人员表示,他们已经破解了10纳米晶片制造技术难题,为生能耗更低的先进晶片奠定了基础。

英特尔Ivy Bridge和Haswell两种晶片都将采用22纳米制造工艺生,在此之后,英特尔将转向14纳米制造工艺,并预计将在2013年晚些时候或2014年初开始用这种技术制造晶片。周三,在英特尔开发者论坛上,该公司高管透露他们还掌握了制造10纳米晶片的技术。

英特尔技术制造部门工艺架构与整合主管马克·波尔(Mark Bohr)说:“14纳米晶片技术现已处于全面的开发模式,正在为明年底启动全面生做准备。眼下,我将自己的个人时间都用在了10纳米技术上面,看上去我们已经找到了解决办法。”

波尔称,10纳米晶片技术可能依赖于一系列实验性技术,可能涉及光子学、材料合成、最新三级晶体管、极紫外光微影(EUV)等方面的技术。在有关如何生10纳米晶片的问题上,英特尔可能会采用沉浸式光刻(immersion lithography)技术,尽管它更希望使用EUV技术。

波尔暗示,使用EUV技术生10纳米晶片存在诸多困难:“我希望采用EUV技术生10纳米晶片,但我认为它届时还不成熟。”此外,EUV技术的制造成本也高于沉浸式光刻技术。英特尔研究团队还在积极探索生7纳米和5纳米晶片的技术,但这一目标距离现在过于遥远,因为10纳米晶片技术要到2015年才能达到生标准。

波尔最后表示,与AMD、ARM等竞争对手不同的是,英特尔旗下拥有和运营晶片生工厂。他说:“工艺流程开发的确需要巨额投资,但也会带来巨大的经济优势。”

关键字:英特尔  10纳米

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2012/0915/article_15375.html
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