联电、IBM 合攻20纳米市场

2012-07-01 22:54:20来源: 工商时报
    晶圆代工厂联电(2303)昨(29)日宣布与IBM签订技术授权合约,将以3D架构的鳍式场效晶体管(FinFET),促进次世代尖端20纳米CMOS制程的开发,以加速联电次世代尖端技术的研发时程。

     根据联电及IBM的协议,IBM将授权其20纳米设计套件以及FinFET技术给联电,联电将可运用这些技术,加快推出这些制程给客户采用的时程。不过联电表示,虽取得技术授权,但联电并未加入由IBM主导的半导体技术研发联盟-通用平台(Common Platform)。

     联电与IBM的合作协议,包括IBM的20纳米CMOS制程与FinFET技术。联电内部自行研发的20纳米平面(planar)制程,将与IBM的设计规则与制程/元件目标同步,未来联电的FinFET技术,将针对行动运算与通讯产品,此研发将于联电位于南科的研发中心进行。

     目前全球的半导体厂的技术研发上,英特尔仍执牛耳,量产中的22纳米制程已导入「Tri-Gate」的3D晶体管架构。为了追上英特尔脚步,包括台积电、联电、IBM、三星、格罗方德(GlobalFoundries)等晶圆代工厂,均投入庞大资金进行3D架构的FinFET技术研发,最快在20纳米世代就会开始导入。

     联电表示,获得IBM的技术授权后,联电20纳米制程技术除了平面制程,也会开始导入FinFET技术,且未来联电与IBM的20纳米制程兼容。

     业者指出,联电此举等于20纳米制程将与IBM「互通」,过去在IBM及通用平台联盟投片的客户,可以在最短时间转到联电投片。而借重IBM的专业技术来缩减联电20纳米与FinFET研发周期,将可为联电与客户创造双赢。

关键字:20纳米  联电  IBM

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2012/0701/article_13327.html
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