IMEC先进材料大幅降低闸极漏电流

2012-06-21 09:25:56来源: EETTaiwan
   
闸极漏电流

除了研究先进闸极堆叠和FinFET的可扩展性以外,IMEC也同时针对高迁移通道电晶体进行研究。IMEC在稍早前的VLSI会议上说明了用SiGe量子阱元件记录下的pMOS性能。这种元件极具潜力,研究人员预期它可实现下一代性能超越当前应变矽技术的电晶体性能。


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编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2012/0621/article_13079.html
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