供过于求NAND/DRAM等智能机零件价格走跌

2012-04-13 13:18:32来源: 精实新闻 关键字:NAND  DRAM  价格
   
    日经新闻12日报导,因半导体厂商看好智慧型手机需求而纷纷扩增相关电子零件产能,导致零件供应量扩增幅度高于需求增加幅度,造成NAND型快闪记忆体 (Flash Memory)、DRAM等智慧机用电子零件价格正持续走跌。报导指出,因东芝等NAND Flash厂商已着手量产更低奈米 (nm)等级的产品,加上部份厂商将生产重心自收益性不佳的PC用DRAM转向NAND Flash,导致NAND Flash供应量急增,故3月份出货给记忆卡厂商的32 Gb NAND Flash价格为3.8美元/个,较2月相比下滑了9%,64 Gb产品价格也下滑了10%。

    报导指出,在DRAM部分,每台行动装置搭载的DRAM数量虽呈现增加态势 ​​,惟因DRAM厂纷纷扩增行动装置用DRAM产量(减少PC用DRAM产量),故并未出现供应不足情况,因此4 -6月4 Gb DRAM出货价格大多落在5-7美元/个,较前季(1-3月)下滑了10-20%。报导并指出,因半导体厂商为了扩大市占率,故料不会变更当前采行的增产分针,因此预 ​​估今后数个月智慧机用零件料将持续呈现供过于求的局面。

    朝日新闻于4月4日报导,因智慧型手机等行动装置日益普及,带动NAND Flash需求将持续扩大,故东芝计画于今(2012)年夏天动工兴建新厂房,扩增NAND Flash产能,以借此追击龙头厂三星电子;该座NAND Flash新厂房预计将于2013年量产。

    南韩媒体《每日经济新闻( Maeil Business Newspaper)》曾于3月22日报导指出,三星 NAND Flash新厂将坐落于中国大陆陕西省西安市。三星曾于去年12月6日表示,这座新厂预定在2012年动工兴建,到了2013年便可望投产。Thomson Reuters于4月2日报导指出,三星对上述西安NAND Flash厂的投资额预估将达70亿美元。

关键字:NAND  DRAM  价格

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2012/0413/article_11185.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:弘毅投资与TPG联合竞购尔必达
下一篇:三星工厂落地西安:地方为项目付出至少2千亿

论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
NAND
DRAM
价格

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved