集邦:尔必达事件结局三大可能性

2012-03-27 00:35:36来源: eettaiwan
   
    日本记忆体大厂尔必达(Elpida)申请破产保护一个月后,DRAM产业开始传出整并消息,尔必达也企图自保,藉由财务重整挹注资金来渡过难关。对此集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange分析指出, DRAM 产业近年来面临毛利率下降,以及传统PC产业受平板机与智慧型手机等行动终端侵蚀影响,产业环境每况愈下,而尔必达产品长期对PC DRAM倚赖太深,同时营运重心偏向以受到景气波动影响最钜的现货市场为主,即使制程技术可与一线大厂抗衡,一旦面临景气劣势,直接冲击营收表现,导致市占率节节败退。

    尔必达未来发展仍是大家所关注的焦点,集邦科技认为,除了债务问题必须逐一解决外,日本政府的态度更具有关键性影响,尔必达也在寻找任何在市场继续存活的可能性。针对尔必达事件最终结果,集邦科技提出「取得资金,债务重整」、「出售厂房,短期阵痛」、「宣告破产,价格飙升」三大可能性,指出尔必达处分瑞晶取得资金,广岛厂转型IC设计,将是推动DRAM产业往前迈进,对产业冲击影响较小的方式。

可能性一:取得资金 债务重整

    目前传闻日本政府有意出资拯救尔必达,前提是希望日本国内DRAM与NAND Flash两大产品线整合,此外,为抢攻行动终端市场,广岛厂将降低标准型记忆体比重,提升行动式记忆体投片,然而,受限于自主快闪记忆体(NAND Flash)技术的短缺,导致与韩系厂商相较之下,无法在MCP (Multi-Chip Packaging)领域有进一步的发展。

    因此,身为NAND Flash营收排名第二的东芝半导体(Toshiba),不排除在日本政府主导下与尔必达进行技术合作,如果顺利,未来将有MCP (Multi-Chip Packaging)产品续攻成长性高的智慧型手机及平板电脑两大市场,与韩系大厂在行动式记忆体领域相抗衡。

    尔必达在标准型记忆体上,仅委由瑞晶作为生产主力,加速转进25奈米制程。但由供需面的动能做观察,尽管瑞晶独撑大局,标准型记忆体整体市况仍供过于求,对DRAM平均销售单价的拉抬效应有限。在债务方面,尔必达亦有可能与银行团洽谈以债转股,甚至减免部份债务,整体退出DRAM产能可能性低,对后续颗粒价格拉抬的效应最小。

可能性二:出售厂房 短期阵痛

    倘若日本政府仅提供程度上的债务展延,尔必达的自救仍需继续进行。在广岛厂方面,随着日本政府整并面板产业后,目前也将触角伸入国内半导体产业,近期正在进行瑞萨电子(Renesas Electronics)、富士通(Fujitsu)及松下(Panasonic)的整并工作,并尝试将IC 设计及晶片生产区分为两大事业体,未来将成立一家名为INCJ的公司进行经营主导IC 设计业务,生产部份不排除将转入尔必达广岛厂生产,冀望降低其标准型DRAM的曝险。

    同时,尔必达为解决财务上的问题,集邦科技认为,出售瑞晶或广岛厂的可能性不低,假设售出之后,势必面临技术转换阵痛期,届时投片将会减少,时间有可能长达半年左右。从供需面来看,2012年下半年将有机会转为供需平衡,技术转进能力强的厂商,标准型DRAM有望呈现获利的价格走势。

可能性三:宣告破产 价格飙升

    由于日本政府经济产业省尚未决定是否相救尔必达,若最后决议不提供援助,尔必达将全面退出市场,届时包含瑞晶在内的投片,合计每月165K都将停止,全球DRAM产能将顿时失去12%,供过于求的状况短期内转为供不应求,DRAM合约颗粒价格将上看2.35美元,成长幅度超过100%,本是浅碟价格走势的现货市场,由于库存水位普遍不高下,更有机会上看2.5美元价位。

    此外,集邦科技认为,若尔必达退出行动式记忆体版图,最大受惠者将会是同时具备DRAM与NAND Flash产能的韩厂海力士半导体(Hynux),其产品线完备,是仅次于三星半导体(Samsung)、营收排名第二大的供应商,将与美系美光半导体分食尔必达现有市占。


2011年第四季各DRAM厂商市占率


行动DRAM市占分析
(来源:DRAMeXchange,2012/03)

    美系甚至台系的DRAM厂都可能将瑞晶视为整并对象。集邦科技预估,假设瑞晶易主,将现有的尔必达技术逐步更新至新技术母厂的准备时间,将至少存在六个月的空窗期,不仅产能利用率降低,制程良率也需要时间逐步改善。

    预计2012年 PC DRAM 的年度总产能将因制程转换而产生至少225K片的缺口,将大幅修正当下DRAM供过于求的市况,直接转为供需平衡,若再加计产业链对尔必达存亡的疑虑做出激烈反应,加备库存周数或是重复下单以避免后续价格剧烈弹升,以及配合下半年需求端较佳的季节性销售,PC DRAM价格将有机会大幅回涨。


关键字:尔必达  结局

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2012/0327/article_10968.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
尔必达
结局

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved