三星、海力士年底拟推DDR 4新产品

2012-03-08 19:11:16来源: DIGITIMES
    据南韩电子新闻报导,三星电子(Samsung Electronics)和海力士半导体(Hynix) 2012年底将会投入次世代记忆体DDR 4量产,领先全球记忆体市场。三星、海力士等近来在美国旧金山国际固态电路会议(ISSCC)上展示了30奈米等级DDR 4的试制品。

    两大韩厂推出的试制品是以30奈米等级微细制程研发,2012年底则计划采用20奈米等级制程投入量产。

    DDR 4 DRAM较目前市场上的主要产品DDR 3耗电量低,且资讯传输速度约提升2倍,微次世代DRAM规格。而两大韩厂推出的试制品采用了联合电子装置工程协会(JEDEC)规格。全球记忆体晶片业者中,目前仅三星和海力士研发出DDR 4试制品,未来DDR 4的标准化作业主导权,可能也会落到三星及海力士手上。

    三星推出的DDR 4记忆体在1.2伏特(V)电压下可驱动2,133MHz,而海力士的产品在同样的电压下,可驱动2,400MHz。相较于两大韩厂的试制品在1.5V下驱动的DDR 3记忆体相比,耗电量减少了40~50%。

    三星及海力士内部人员透露,瞄准高规格电脑或超小型伺服器市场,2012年底将会采用20奈米等级制程量产DDR 4产品。

    海力士行销本部长金知范指出,海力士研发的DDR 4试制品可满足环保、低耗电、高性! 能等特性。除现有的电脑及伺服器市场外,也将会针对快速成长的平板电脑(Tablet PC)市场提出具高附加价值的= 决方案。

    根据市调机构iSuppli统计,整体DRAM晶片中,DDR 4比重在2013年将会达到1%,至2015年可望突破45%,成为市场主要产品。此外,DDR 3产品比重在2011年时为72%,达到最高值后将持续降低,2015年将会减少至15%。

关键字:三星  海力士  DDR4

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2012/0308/article_10536.html
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