2012年智能手机用DRAM能否成为主流?

2012-02-26 12:38:49来源: 技术在线 关键字:2012  DRAM  智能手机
   

此次发布的LPDDR3的4Gbit产品(点击放大)

此次开发的DRAM架构(点击放大)
  “用于智能手机的DRAM今年或将成为主流”。韩国三星电子在“ISSCC 2012”上发布了新一代低耗电量DRAM——LPDDR3 SDRAM(演讲序号:2.4)。新产品为采用30nm工艺的4Gbit产品,电源电压为1.2V,每端子的最大数据传输速度为1.6Gbit/秒。总线宽度为32bit,因此芯片整体的最大数据传输速度为6.4GB/秒。LPDDR3产品此次是首次在ISSCC上发布。

  目前智能手机配备的LPDDR2每端子的最大数据传输速度为800Mbit/秒,芯片整体的最大数据传输速度(总线宽度为32bit时)为3.2GB/秒。电源电压为1.2V。也就是说,此次的LPDDR3在电源电压没变的情况下,将每端子的传输速度提高到了LPDDR2的2倍。

  此次发布的4Gbit LPDDR3产品的芯片面积为82mm2。与LPDDR2产品具有向后兼容性。采用8 Bank构成,进行8bit预取。为提高速度,将内部数据总线宽度扩大至LPDDR2的2倍。为改善信号完整性,在裸片上集成了终端(片内终结器:on die termination,ODT)。

  据三星介绍,为了玩三维游戏和观看高清视频等,对移动DRAM的高速化需求日益高涨。而另一方面,由于功率预算(power budget)有限,因此耗电量不能增加。作为兼顾高速化和低耗电量化的方法,该公司考虑了与目前的LPDDR2相比大幅提高每端子传输速度的方法,以及大幅增加端子数的方法。前者就是导入串行IO,而后者是导入双通道应用和Wide IO规格。关于串行IO,三星称其电力效率不如LPDDR2。而Wide IO由于难以进行故障分析(SiP建模),而且积层成品率较低,可能会使成本升高。综合上述几个方面,“LPDDR3成了最有力的候选”(三星)。


关键字:2012  DRAM  智能手机

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2012/0226/article_10254.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:2020年之前闪存将成为存储领域的“王者”
下一篇:SATA III SSD战况全面启动 记忆体厂推新机种应战

论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
2012
DRAM
智能手机

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved