2012年智能手机用DRAM能否成为主流?

2012-02-26 12:38:49来源: 技术在线
   

此次发布的LPDDR3的4Gbit产品(点击放大)

此次开发的DRAM架构(点击放大)
  “用于智能手机的DRAM今年或将成为主流”。韩国三星电子在“ISSCC 2012”上发布了新一代低耗电量DRAM——LPDDR3 SDRAM(演讲序号:2.4)。新产品为采用30nm工艺的4Gbit产品,电源电压为1.2V,每端子的最大数据传输速度为1.6Gbit/秒。总线宽度为32bit,因此芯片整体的最大数据传输速度为6.4GB/秒。LPDDR3产品此次是首次在ISSCC上发布。

  目前智能手机配备的LPDDR2每端子的最大数据传输速度为800Mbit/秒,芯片整体的最大数据传输速度(总线宽度为32bit时)为3.2GB/秒。电源电压为1.2V。也就是说,此次的LPDDR3在电源电压没变的情况下,将每端子的传输速度提高到了LPDDR2的2倍。

  此次发布的4Gbit LPDDR3产品的芯片面积为82mm2。与LPDDR2产品具有向后兼容性。采用8 Bank构成,进行8bit预取。为提高速度,将内部数据总线宽度扩大至LPDDR2的2倍。为改善信号完整性,在裸片上集成了终端(片内终结器:on die termination,ODT)。

  据三星介绍,为了玩三维游戏和观看高清视频等,对移动DRAM的高速化需求日益高涨。而另一方面,由于功率预算(power budget)有限,因此耗电量不能增加。作为兼顾高速化和低耗电量化的方法,该公司考虑了与目前的LPDDR2相比大幅提高每端子传输速度的方法,以及大幅增加端子数的方法。前者就是导入串行IO,而后者是导入双通道应用和Wide IO规格。关于串行IO,三星称其电力效率不如LPDDR2。而Wide IO由于难以进行故障分析(SiP建模),而且积层成品率较低,可能会使成本升高。综合上述几个方面,“LPDDR3成了最有力的候选”(三星)。


关键字:2012  DRAM  智能手机

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2012/0226/article_10254.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
2012
DRAM
智能手机

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved