2020年之前闪存将成为存储领域的“王者”

2012-02-26 12:37:20来源: 技术在线
   

艾利·哈拉里(由本刊在获得ISSCC 2012秘书处许可后拍摄)(点击放大)

闪存将成为存储领域的“王者”(点击放大)
  全球最大的半导体电路国际会议“ISSCC 2012”于2012年2月20日(周一)在美国旧金山开幕。在主题演讲中美国晟碟(SanDisk)公司创始人、前CEO兼董事长艾利·哈拉里(Eli Harari)率先登台亮相,他以“Flash Memory—The Great Disruptor!”为题发表了演讲。

  哈拉里在任期间一直专注于闪存领域,通过迅速削减成本,闪存陆续取代了现有的存储介质。哈拉里此次演讲题目中的Disruptor包含“破坏者”的意思。实际上,闪存“在从1991年到2012年的约20年内,将成本削减至1/50000,夺得了卤化银胶片、软盘、磁带、光盘和硬盘市场”(哈拉里)。

  闪存以破竹之势迅猛发展,而支撑其降低成本的制造技术微细化的发展前景却并不明朗。哈拉里指出,目前的最尖端品采用19nm工艺前后的制造技术,而今后要想微细化至10nm工艺,就必须解决以下课题:浮游中能够存在的电子数量越来越少、隧道绝缘膜厚度要降至7nm以下、使用EUV曝光、需要投入100亿美元资金的投资回报(ROI)问题等。关于解决这些课题的方法,哈拉里提到了向市场投放在系统侧进行辅助从而放宽了标准的NAND闪存,以及使三维(3D)单元积层构造的可变电阻式存储器(ReRAM)实用化等。哈拉里表示,3D-ReRAM“可能会打破现有的竞争关系”。

  哈拉里指出,投放这些使能技术(Enabling Technology)后,闪存的发展将会势不可挡(Unstoppable)。而且,今后会不断侵食其他存储介质。比如侵食DRAM。哈拉里预测,“截至目前,NAND闪存的成本已经降至DRAM的1/10左右。今后这个差距也无法消除。设备厂商不能忽视这个差距。目前的NAND闪存架构已优化至串行访问(Serial Access),2020年前后将出现采用新型架构的NAND闪存。新型NAND闪存将配置在微处理器的旁边,与DRAM共存”。另外,关于与硬盘之间的竞争,哈拉里表示“客户端基本上由闪存独霸一方,目前闪存正在不断地进军服务器领域。单从之前的发展趋势来看,闪存处于有利地位。最终会胜过硬盘”。

  哈拉里在结论中表示,“闪存市场的增长幅度将超出各位的预期。2020年之前闪存在市场规模上将成为存储领域的‘王者’。

关键字:2020  闪存

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2012/0226/article_10253.html
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