索尼开发在背面照射型CMOS传感器上层叠信号处理芯片的技术

2012-01-29 15:01:43来源: 技术在线
    作为背面照射型CMOS图象传感器的新技术,索尼开发出了配备信号处理电路的积层构造。采用形成有信号处理电路的芯片代替原来的背面照射型CMOS图象传感器支持基板,在其上重叠形成有背面照射型像素的像素部分(下图)。

与原产品的构造比较(图:索尼)(点击放大)

  采用新构造的传感器能在较小的芯片尺寸上配备大规模电路。另外,像素部分和电路部分分别为独立的芯片,因此像素部分可采用专门面向高画质化的制造工艺,电路部分可采用专门面向高功能化的制造工艺。此外,通过在形成有电路的芯片上采用尖端工艺,还可实现信号处理的高速化和低耗电量化。

  索尼将把该传感器定位为兼顾高功能化和小型化的新一代CMOS图象传感器,并扩充产品系列。作为首批产品,已经开发出了有效像素约为800万的1/4英寸积层型CMOS图象传感器,将从2012年3月开始样品供货。计划主要面向智能手机和数码相机袖珍机型等小型化要求强烈的领域销售。

  另外,索尼还开发出了可在暗处高感度拍摄的“RGBW Coding”,以及可在从暗到亮的广泛动态范围内拍摄的“HDR Movie”等CMOS传感器用信号处理电路。配备这两种功能的产品方面,索尼开发出了有效像素约为1300万的1/3.06英寸积层型CMOS图像传感器以及有效像素约为800万的1/4英寸积层型CMOS图象传感器。1/3.06英寸的产品预定从2012年6月,1/4英寸的产品预定从2012年8月开始样品供货。

关键字:索尼  CMOS传感器

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2012/0129/article_9712.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
索尼
CMOS传感器

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved