TD-LTE双模终端芯片首批3家通过测试

2012-01-11 13:04:56来源: 新浪科技
    1月10日消息,知情人士透露,为2012年做准备的TD-LTE双模终端芯片的MTnet测试已结束,包括联芯科技等在内的3家厂商通过了测试,即将参加第二阶段的TD-LTE规模技术试验,今年预计将把TD-LTE芯片下行速率提高至最高150兆/秒。

  据悉,截至2011年12月,由工信部与中国移动(微博)组织的TD-LTE规模技术试验,已完成第一阶段测试,第二阶段测试已经开始布局,计划于今年第一季度开始,目前正在选择城市范围,传将增加4个城市参与TD-LTE规模技术试验。

  参与测试的大唐电信集团旗下联芯科技透露,2011年举行的TD-LTE第一阶段测试主要是采用单模终端,而第二阶段已确定普遍采用多模终端测试,这被认为是我国无线通信由3G迈向4G的重要技术验证阶段。

  目前,联芯科技等3家厂商已于12月底成功通过各项技术测试,成为首批入围MTnet测试第二阶段双模技术验证的芯片厂商。另两家可能为海思和创毅视讯。

  已知的消息是,联芯科技采用的TD-LTE/TD-SCDMA双模解决方案DTivy1760是单芯片双模方案,可以支持双模重选、自动切换功能,同时可以带来成本的优化和功耗的降低。

  据悉,基于该方案的TD-LTE/TD-SCDMA一款双模测试数据卡产品LC5760也参与到MTnet内场和外场测试,已可满足TD-LTE组网的各项指标要求,基本性能或达到早期商用要求。

  在LTE未来的规划上,联芯科技表示将推出更加先进工艺的LTE芯片,可支持TD-LTE/FDD LTE/TD-SCDMA/GGE多模自动切换,支持下行150兆/秒,上行50兆/秒的数据吞吐率,更能满足国际市场开拓需求。

关键字:TD-LTE  终端芯片

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2012/0111/article_9498.html
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