快闪记忆体在嵌入式市场的创新应用

2011-12-30 13:21:21来源: DIGITIMES 关键字:快闪记忆体
    DIGITIME企划 旺宏推出Quad 4x75MHz DTR技术、600Mb/s传输速率的高速串列式NOR,可简化嵌入式市场平台PCB布线与降低成本;同时在面对浮闸设计的NAND Flash濒临制程上极限之际,旺宏也对正在研究中的新世代记忆体如PCM(相变化记忆体)、RRAM(电阻式记忆体)提出他们的看法…

    旺宏电子资深产品行销经理Ralf Kilguss指出,目前Flash分NAND与NOR两大类。前者以高容量见长,但是当制程微缩到2x奈米以下时可靠度开始变差,像是Bad Block与ECC位元数增多;而NOR Flash若以3xnm制程可做到单颗2~4Gb容量,因此当NOR制程微缩到4x奈米以下,将吸引并抢占低密度NAND的市场。他引用旺宏市场分析,预估到2014年Serial NOR市场总值达17亿美元,Parallel NOR达12亿美元,而SLC NAND仅11亿美元。

    他指出许多汽车电子、仪表上呈现的2D/3D图形、动画与视讯,急需快速读取效能的NOR Flash,且快速可程式化的NOR Flash可使系统快速从深度睡眠模式下快速启用。Serial NOR持续增加输出速率与容量,获得工控、网路与汽车电子应用,将促业界从Parallel NOR与SLC NAND的采用出现转移,以节省I/O组件的成本,2011年Serial Flash占NOR Flash出货比重达65%,到2013年将进一步! 提升到77%。

NOR/NAND技术上的差异与NOR Flash产品趋势

    Ralf Kilguss进一步阐述NOR Flash与NAND Flash在技术上的比较。两者都是浮闸电晶体装置的设计,NOR Flash每一个Cell有独立的Word Line、Bit Line与 Souce Line(源极线),NAND Flash一个Floating Gate最多串32个Cell串成一组,每一个Cell只有一个Word line,不是每一个Cell都有Souce Line与Bit Line,因此NAND Layout比较简单,密度也相对提高,平均每个Cell仅4F2;NAND Flash比较接近Serial介面,储存在NAND Flash的程式码,需要将程式码复制到DRAM/
SRAM才能执行,此外NAND Flash读写特性是读取慢、

关键字:快闪记忆体

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2011/1230/article_9350.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:超越NAND闪存的新一代内存技术
下一篇:尔必达和美光DRAM之争

论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读

小广播

独家专题更多

东芝在线展会——芯科技智社会创未来
东芝在线展会——芯科技智社会创未来
2017东芝PCIM在线展会
2017东芝PCIM在线展会
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
汇总了TI汽车信息娱乐系统方案、优质音频解决方案、汽车娱乐系统和仪表盘参考设计相关的文档、视频等资源
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved