三星开发首个10nano级的Nand Flash存储器产品

2011-11-15 23:21:42来源: 中央日报 关键字:10nano  Nand  Flash
以三星集团内部的研究团队为对象举行的“2011三星技术展”上,三星电子展示了世界首个10nano级的Nand Flash存储器产品,这是由三星综合技术院开发的试制品。

三星电子的有关人士补充道“尚处于测试芯片阶段,量产日期难以确定。请从掌握技术层面来考虑”,“努力准备的话,明年上半年有可能实现量产”。

今年5月,三星电子量产了以20nano级的Nand Flash为基础的Micro SD卡,这属世界首次,但是10nano级产品的量产却是另外一个不同级别的问题。10nano级的产品一直被认为是半导体技术的“物理极限”,10nano级的半导体电路意味着线宽(电线间距)为10nanometer。

业界普遍认为,通过改善单元结构或采用新材料等方法可以达到20nano级,但这与细化到10nano级所需的技术的层次是不同的。如果想要超越技术的极限,需要巨额的投资。

有分析认为,三星电子通过果敢地推进该项技术的研发,确保了继续保持与竞争对手间技术差距的跳板。越是细化nano工程,半导体芯片就会变得越小, 晶圆(Wafer)的单位产量也会增加,而且因为制造成本的降低,竞争力也会大幅提升。

另一方面,三星电子存储器事业部社长全东守最近和记者见面时表示“如果变换思路,就有可能超越技术极限。通过不断创新,我们能够继续发展到10nano以下”。

关键字:10nano  Nand  Flash

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2011/1115/article_8551.html
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