相变存储器速度寿命增百倍

2011-11-09 06:38:43来源: 解放日报 关键字:相变存储器
    世界正处在数据大爆炸时代,人们亟待高密度、高速度、长寿命的新一代存储器救急。上海承担国家科技重大专项、国家纳米重大研究计划等项目,牵头研发新一代存储器,已公开约300项海内外专利,填补了我国自主存储器长期空白,并与国际前沿实现同步。这是昨天举办的“第11届IEEE非易失性存储器国际研讨会”上透露的。

  存储器是消费型电子产品的必备单元,这些小小器件每年全球范围销售额达600亿美元,但因技术密集且门槛高,市场主要被三星、海力士等5家企业垄断。中国作为多种电子产品的世界最大生产国,每年消耗存储器件占全球三分之一,但此前一直未实现存储器国产。而日韩两国则通过实施国家战略,分别于上世纪80年代和90年代自主掌握存储器技术,也使全球存储器产业重心从美国移至日本,进而移至韩国。

  从2002年起,中科院上海微系统所在现行存储技术之外,及时攻关下一代存储器,并承接我国“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”、“973计划”等相关任务。目前,微系统所与中芯国际、微芯等企业组建百余人产学研团队,成功研发出不同于传统存储机制的“相变存储器”。项目负责人宋志棠研究员介绍,目前有能力生产“相变存储器”的全球厂商仅少数几家,并且刚刚实现量产。据悉,微系统所在相关材料、器件、工艺等环节布局专利达300项左右,其中80多项已获授权,为产业化和国际化打下良好的基础。

  据了解,相变存储器比起当今主流产品具有多种优势,有望同时替代公众熟知的两大类存储技术,如应用于U盘的可断电存储的闪存技术,又如应用于电脑内存的不断电存储的DRAM技术。在存储密度方面,目前主流存储器在20多纳米的技术节点上出现极限,无法进一步紧凑集成;而相变存储器可达5纳米量级。在存储速度方面,相变存储器的存储单元比闪存快100倍,使用寿命也达百倍以上。

关键字:相变存储器

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2011/1109/article_8477.html
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