法国研究人员指明未来10年MRAM发展方向

2011-11-07 21:19:20来源: 技术在线

演讲现场(点击放大)
  “继自旋注入磁化反转方式之后,利用电场来改变MRAM等的自旋方向的控制技术很有可能将成为主流。估计将在2015~2020年达到实用化”。法国基础电子学研究所(Institut d'Electronique Fondamentale)的D. Ravelosona出席了正于美国亚利桑那州斯科茨代尔举行的磁技术相关国际会议“56th MMM”的特邀演讲,并做了上述发言。演讲题目是“Toward ultra low power spintronics nanodevices with perpendicular anisotropy”。

  Ravelosona指出,纳米电子的发展重点在过去10年是“如何减小元件尺寸”,而今后10年将是“如何降低耗电量”。包括MRAM及非易失性逻辑在内的自旋电子学也将沿着这个方向推进技术开发。其中一大方向就是本文开篇所述内容。比如,已达到实用化的MRAM将利用外部磁场来改变MTJ元件自由层的磁化方向。现在为取代DRAM等,国内外知名存储器厂商等正在研究利用自旋极化电流的自旋注入磁化反转方式MRAM。

  据Ravelosona介绍,能比自旋注入磁化反转方式大幅降低耗电量的,是基于加载电场的磁化反转技术。在通过加载电场改变磁各向异性的磁化方向控制技术方面,日本东北大学等研究机构正在积极推进研究。日本东北大学的大野英男教授(节能及自旋电子学集成系统中心主任)在接受《日经电子》采访时指出该技术具有很大的潜力:“如果仅利用电场就能改变自旋方向,那么可将非易失性存储器的开关能量降低2~3个数量级”。

关键字:MRAM

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2011/1107/article_8436.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
MRAM

小广播

独家专题更多

TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved