台美日开倒车三星DRAM市占逼近45%

2011-11-02 18:34:12来源: DIGITIMES 关键字:美日  倒车  三星  逼近
韩系半导体大厂三星电子(Samsung Electronics)2011年第3季全球DRAM市占率再攀高峰,继第2季突破40%后,第3季全球市占率直逼45%,名列第2、3名的海力士(Hynix)和尔必达(Elpida)市占率也微幅衰退,台厂南亚科、力晶、茂德在减产、半退出DRAM市场、财务窘迫等各种情况下,全球市占率也都呈现衰退;再者,第3季在多家DRAM厂减产和减少出货的情况下,单季产出成长率意外出现个位数,仅有5%水准。

第3季DRAM报价跌破现金成本,导致尔必达第1家站出来宣布要减少出货,将产出的晶圆片以不封测的情况下暂时放在Wafer Bank,等于变相减产,之后力晶则宣布大规模的减产,加上各厂陆续拿出大幅亏损的财报,导致第3季DRAM产业笼罩在一片愁云惨雾下。

翻开2011年第3季3家台系DRAM厂财报,南亚科单季亏损119.63亿元、华亚科亏损70.22亿元、力晶亏损66.63亿元,合计3家DRAM厂第3季亏损高达256亿元,而茂德则已是连续2季交不出财报,整体来看,台系DRAM厂第3季情况相当之惨烈!

根据市调机构TrendForce统计,全球DRAM产业第3季营收规模为65.66亿美元,合计2Gb DDR3合约价下跌达35%,第3季营收较上季大幅衰退达19.4%,单季产出量较上季成长5! %,不如往年第三季都有10%以上的成长率。

? 磪H全球DRAM厂来看,不只台厂惨亏,而是除了三星之外,所有DRAM厂财报都是赤字表现。

如无特殊意外,台系DRAM厂持续亏损情况在未来几季内都无法逆转,因为不像国际大厂般积极转进40奈米或是30奈米制程技术,台厂碍于资金窘迫,制程转进速度相当慢,在成本与国际大厂越拉越大之下,台系DRAM厂未来前景十分黯淡。

目前转进30奈米制程速度最快的算是三星、海力士和尔必达,其中三星和海力士2家韩系大厂30奈米制程比重已达21%,而尔必达和转投资的瑞晶也预计到了2012年上半30奈米制程也大幅增加;反观台厂制程仍停留在转进40奈米制程的路途中,与国际大厂间的制程技术差距从过去1个世代已拉大至1.5个世代。

2011年个人电脑(PC)市场旺季不旺也是扼杀DRAM产业的另一个凶手,TrendForce统计,第3季PC搭载记忆体的容量只有3.5GB,较上季仅小幅减少1.1%,整个PC市场一直到9月才出现库存逐渐消化后的回补库存动作,使得9月DRAM报价也短暂止跌且10月合约价也缩小跌幅。

不过,现在DRAM产业除了旺季不旺、PC需求疲弱之外,另一个意外是泰国水患导致硬碟缺货,让DRAM产业惨澹的情况是雪上加霜,而硬碟厂预计最? 〞p要到2012年第1季才有可能回复正常供货,DRAM厂其实都有第4季继续坏下去的心理准备。

值得注意的是,以全球DRAM产业第3季市占率来看,三星的市占率首度逼近45%历史新高,这也代表台系DRAM产业供应链几近崩解,且台、日两阵营因为长期依靠台厂生产基地也连带沉沦的现象;不过,最关键的原因仍是PC需求不振以及台、美、日财务状况导致的制程落差。

根据TrendForce统计,三星第3季DRAM营收较上季衰退12.8%,因为幅度仍小于同业,因此市占率反则逆增至44.5%;海力士DRAM营收较上季衰退23.9%,市占则微幅下滑至21.6%;尔必达单季营收减少29.7%,市占率下滑至12.6%;美光营收较上季减少11.9%,市占率11.8%,而台湾仅存的品牌DRAM厂南亚科市占率为2.43%。

三星第3季的35奈米产出比重已有超过30%,加上积极转进伺服器DRAM与Mobile RAM策略有城下,第3季位元成长率达7%;海力士目前38奈米制程良率稳定,也积极提高投片比例,预计第4季末可占总产出的约40%,对于改善海力士成本很有助益。

尔必达从8月开始就减少对力晶的采购量,力晶也以减产和转进代工因应,因此尔必达多数的PC DRAM产出以瑞晶为主。

= >美光第3季位元成长率为22%,在制程转进方面,第3季末42奈米制程比重已达50%,年底可望达到70%,但以目前2Gb DDR2成本结构而言,美光即使以42奈米制程生产其实也无法赚钱,因此美光和旗下的华亚科目前已开始试产30奈米制程,而美光本身的产能比重着重在NAND Flash产品上,因此转进30奈米制程重责大任以华亚科为主。

关键字:美日  倒车  三星  逼近

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2011/1102/article_8323.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:《记忆体IC》前3季NAND族多大赚 DRAM族悲惨
下一篇:MRAM也采用热辅助写入,为实现20nm以下工艺微细化所必需

论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
美日
倒车
三星
逼近

小广播

独家专题更多

TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
汇总了TI汽车信息娱乐系统方案、优质音频解决方案、汽车娱乐系统和仪表盘参考设计相关的文档、视频等资源
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved