成本低于1美元 2012年SSD取代DRAM

2011-10-12 08:26:34来源: 新电子
   
    随着东芝(Toshiba)、SanDisk与三星(Samsung)竞相导入20奈米(nm)制程,储存型快闪(NAND Flash)记忆体价格已下探至每GB达1.1美元,预期至2012年将跌至1美元以下,届时,固态硬碟(SSD)市场需求将会首度超越动态随机存取记忆体(DRAM)。

    Gartner研究总监王端表示,NAND Flash业者导入更先进奈米制程已势在必行,否则将逐步丧失市场竞争力,而惨遭淘汰。
    市场研究机构Gartner研究总监王端表示,三星、海力士(Hynix)和尔必达(Elpida)旗下的DRAM或NAND Flash皆已朝25奈米技术迈进,因此价格竞争将更趋激烈,导致获利幅度变小;目前DRAM价格已下杀至每GB达0.65美元;另一方面,东芝、SanDisk及三星已纷纷迈入20奈米制程,预估2012年NAND Flash价格将不及1美元,进而促使SSD正式取代DRAM。

    Gartner研究副总裁Bryan Lewis分析,DRAM产业受个人电脑(PC)需求减少和价跌的冲击甚深, 2011年营收将衰退26.6%;NAND Flash和特定应用积体电路(ASIC)在智慧型手机和iPad热销的带动下,2011年市场规模急速增长,年成长率约达20%。

    拜平板装置(Tablet Device)、智慧型手机及固态硬碟(SSD)强劲需求所赐,2011年NAND Flash成长快速,王端认为,未来数年,NAND Flash的应用版图将大于DRAM,因此未来DRAM产业每年营收将减少2%,然NAND Flash的营收年增长率将可达11%。

    有鉴于NAND Flash前景可期,激励NAND Flash制造商加码投资,根据Gartner预估,2011年NAND Flash资本支出已高于DRAM,逼近100亿美元,往后数年投资差距将会持续拉大。

    尽管现阶段DRAM整体产业较为悲观,年复合成长率调降达2%,然对于行动(Mobile)DRAM的需求仍在,预计未来DRAM供应商将会把投资重心放在Mobile DRAM。王端指出,Mobile DRAM制程与DRAM相似,惟设计方法迥异。 

关键字:SSD  DRAM

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2011/1012/article_7949.html
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