MLU技术开启磁性存储器中实现类NAND存储器可能

2011-06-29 22:56:52来源: eet_china 关键字:MLU  磁性存储器  NAND
    磁性随机存储器(MRAM)供应商Crocus Technology声称已开发出一种称之为磁性逻辑单元(Magnetic Logic Unit,MLU)的技术,它可匹配其热辅助磁性转换(TAS)技术,除了储存以外还可用于存储器存取,开启了使用在MRAM中实现类NAND(NAND-like)存储器以及搜寻存储器的可能性。

    藉由开启数据储存、安全商业及通讯应用、网路处理以及汽车和工业等应用,Crocus声称,此一创新技术将可拓展磁性技术的市场。然而,该公司并未透露何时可量产或将推出何种容量的存储器。

     在高密度存储器应用中,MLU开启了一条可在磁性存储器中实现类NAND配置的道路,MLU NAND存储器可实现比传统磁性存储器高出2~4倍的密度,而且还具有完整的随机存取优势,Crocus表示。

     Crocus表示,其MLU技术可藉由设定一个通常固定于MRAM单元中的参考层磁化来整合三种模式。

     Crocus的MLU XOR,称之为地匹配(Match-In-Place),它实现了比较和加密功能,可防止智能卡、身份证、SIM卡、近距离无线通讯(NFC)遭到篡改。Match-In-Place还实现了搜寻和比较功能所需的网路路由应用,可以实现比传统CMOS硬体搜寻处理器更高出50倍的密度。此外,所有配置的MLU都能在高达200℃的温度中正常运作,这使其成为汽车和工业电子产品的理想应用。

    “在许多独立和嵌入式存储器产品中,MLU具有取代SRAM、DRAM、NAND、NOR和OTP的潜力,”Crocus公司执行主席Bertrand Cambou说。“因为MLU的NOR、NAND和XOR功能是在单一晶片制程中使用不同的设计架构,他们能够轻易地症合到系统单晶片(SoC)中。”

    MLU与Crocus目前的晶圆制程相容,Crocus正计划采用Tower Semiconductor的130nm制程来量产基于MLU的产产品,另外,其俄罗斯子公司Crocus Nano MLU也正计划使用90/65/45以及更小的几何尺寸。

关键字:MLU  磁性存储器  NAND

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2011/0629/article_6851.html
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