三星量产新型NAND闪存芯片 比现在快10倍

2011-05-16 01:27:10来源: 赛迪网
    5月13日消息,据国外媒体报道,全球最大的内存芯片厂商三星电子周四称,它已经开始大批量生产新的NAND闪存芯片。这种闪存芯片传送速度的速度比目前市场上的任何其它NAND闪存芯片都要快。

  三星电子在声明中称,这种闪存芯片的密度为64GB,配置一个DDR 2.0接口,允许这种芯片最多以每秒400MB的带宽传送数据。这个数据传输速度比目前市场上广泛应用的NAND闪存芯片的速度快10倍。这种新的NAND闪存芯片是采用20纳米级加工技术制造的。

  三星称,它预计这种新的芯片将用于高性能移动设备,如智能手机、平板电脑和固态硬盘。

关键字:三星  新型NAND  10倍

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2011/0516/article_6633.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
三星
新型NAND
10倍

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved