尔必达全面量产30nmDRAM

2011-05-03 15:38:01来源: EDN业界
    日本尔必达存储器(Elpida Memory)宣布,将从2011年5月开始全面量产采用30nm工艺的DRAM。生产基地是该公司的广岛工厂和台湾瑞晶电子(Rexchip Electronics)的工厂。广岛工厂已经开始生产30nmDRAM,2011年4~6月将把比例扩大至20%、2011年7~9月扩大至30%。而瑞晶工厂则计划在2011年7~9月导入30nmDRAM技术,2011年7~9月将比例提高至50%、2011年10~12月迅速提高至100%。

  尔必达从2010年9月开始开发30nmDRAM,2010年底开始向处理器厂商等大型客户样品供货2Gbit产品。在市场行情恶化导致DRAM被迫整体减产的情况下,尔必达于2011年1月在广岛工厂开始量产30nmDRAM,量产规模在2011年1~3月为数千万枚/月。之后,随着DRAM市场行情的复苏而取消了减产计划,广岛工厂恢复了12万枚/月的满负荷运转状态,其中预定在2011年4~6月使30nmDRAM比例达到20%(其余80%基本上都是40nm工艺产品)。也就是说,2011年4~6月的30nmDRAM产量为2万4000枚/月(=12万枚/月×20%)。

  随后,尔必达将在2011年7~9月把广岛工厂的30nmDRAM比例提高至30%。此外,还计划向瑞晶工厂移植30nmDRAM技术,将2011年 7~9月的30nmDRAM比例提高至50%。因此,把广岛工厂3万6000枚/月(=12万枚/月×30%)和瑞晶工厂4万2500枚/月(=8万 5000枚/月×50%)的产能加起来,尔必达的30nmDRAM总产量将达到7万8500枚/月。之后,将在2011年10~12月把瑞晶工厂的 30nmDRAM比例提高至100%。另外,广岛工厂还要兼顾其他产品的生产,2011年10~12月的30nmDRAM比例以及该比例达到100%的时间等“未定”(尔必达)。

  关于30nmDRAM的具体生产计划方面,2011年5月将首先面向个人电脑(PC)量产2Gbit DDR3-SDRAM,之后在广岛工厂量产4Gbit DDR2标准的“Mobile RAM”和4Gbit DDR3-SDRAM。瑞晶工厂将以量产PC用DRAM为核心。另外,据尔必达介绍,与该公司的40nmDRAM相比,30nmDRAM在每枚晶圆上的芯片获取量将增加45%左右、耗电量将减少20%以上。

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编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2011/0503/article_6449.html
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