瑞晶成功试产尔必达30nm 3Gb DDR3芯片

2011-04-21 00:15:52来源: 互联网 关键字:瑞晶  尔必达  30nm  3Gb  DDR3芯片

    台湾瑞晶电子公司宣布成功试产了尔必达30nm制程2Gb密度DDR3内存芯片产品,这次试产尔必达30nm制程产品的结果达到了公司预期的期望值,瑞晶并称公司将按计划进行制程的切换工作。新的2Gb DDR3内存芯片采用的是尔必达开发的30nm制程技术制作,这种制程功耗低且产出效率高.相比采用40nm制程制作的芯片,每片晶圆可多产出45%数量的芯片。

    这种30nm制程2Gb密度DDR3芯片可满足DDR3-1600标准,工作电压1.35V,可兼容DDR3+标准(seamless BL4 access:可以提升突发长度为4时的芯片突发读写操作的效率),应用在消费电子类产品上后可提升产品的整体性能。

    瑞晶的发言人表示:“我们希望今年下半年能完成转向尔必达30nm制程的工作,届时的月产能可达8.5万片晶圆,我们将生产2Gb/4Gb两种密度规格的30nm DDR3内存芯片。”

    瑞晶是尔必达在台湾的子公司。

关键字:瑞晶  尔必达  30nm  3Gb  DDR3芯片

编辑:什么鱼 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2011/0421/article_6202.html
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