我国首款具有自主知识产权的相变存储器研制成功

2011-04-19 07:12:03来源: CSIA
   

    我国第一款具有自主知识产权的相变存储器(PCRAM)芯片在中国科学院上海微系统与信息技术研究所研制成功,打破了存储器芯片生产技术长期被国外垄断的局面,产业化前景可观。

  

    据专家介绍,此款PCRAM芯片将可取代传统存储器,广泛应用于手机存储、射频识别等多种消费型电子产品中。

  

    我国半导体存储器市场规模目前已接近1800亿元,但由于长期缺乏具有自主知识产权的制造技术,国内存储器生产成本极为高昂。该款PCRAM相变存储器预计将于今年年内投入量产。

关键字:中国  存储器  自主知识产权

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2011/0419/article_6116.html
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