英特尔美光推20纳米级NAND芯片 下半年量产

2011-04-16 11:49:25来源: 赛迪网
    4月16日消息,据国外媒体报道,英特尔美光周四推出一种新型闪存存储制造技术,这一技术使电子存储芯片设计更加密集化,有利于缩小产品占据的空间。此款20纳米级NAND芯片产品估计可在今年下半年大量生产。

英特尔和美光曾经合作制造的AND快闪存储芯片很多年,具有长期的合作伙伴关系。NAND闪存常用于制造智能手机或平板电脑。

先前版本的芯片为25纳米级,英特尔表示升级至20纳米后,不仅可维持同等级运算性能和耐久度,储存空间更是多出50%大小。

美光的NAND市场部总裁凯文基尔伯克宣称:持续缩减NAND的尺寸,确实为市场带来新应用程序空间在现有产品格式下,我们拥有更多空间放入 存储,或能以更低的成本价位,保持同等存储规格。

目前的8G的NAND闪存芯片采用新款20纳米级技术,可减少约30-40%的体积,也让平板电脑和智能手机制造商节省空间,可以使用作额外功能改 善,例如加大电池续航力,扩大屏幕,增添芯片来支持新的功能等等。

英特尔和美光称,他们预计将在今年下半,推出16G的NAND闪存的新芯片产品。

关键字:英特尔  美光  20纳米级  NAND芯片

编辑:什么鱼 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2011/0416/article_6052.html
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