智慧手机和平板助攻 行动DRAM声势看涨

2011-04-14 09:37:37来源: Ctimes 关键字:智慧手机  平板  DRAM  声势看涨

    在智慧型手机和媒体平板装置的带动下,行动DRAM(Mobile DRAM)需求也随之水涨船高,包括低功耗DRAM和虚拟DRAM(Pseudo SRAM)的声势正不断看涨。

    2010 年全球DRAM市场规模为391亿美元,行动装置相关应用就占14%,达到55亿美元。行动DRAM的出货量和记忆容量也不断提高。苹果iPhone 4的行动DRAM容量达到512MB,而宏达电的Desire HD更有768MB。而iPad的行动DRAM容量有256MB,三星的Galaxy Tab更有512MB。

    根据市调机构Gartner预估,今年媒体平板装置平均行动DRAM容量为 507MB,而智慧手机平均容量为279MB,明年可提高到392MB。iSuppli则是预估,今年Mobile DRAM的成长率将达到71%,出货量可达29亿GB,2015年此一数字更将突破205亿GB,比起2010年的17亿GB大幅成长12倍之多。

    行动DRAM并没有标准规格,属于利基型记忆体产品。虚拟SRAM整合DRAM核心和SRAM介面,晶片内含refresh电路设计、与传统SRAM相容,可直接替代SRAM,容量更高、尺寸更轻薄、价格更便宜。Mobile DRAM是透过自动温度补偿自更新TCSR(Temperature Compensated Self Refresh)、记忆体阵列进行自更新PASR(Partial Array Self Refresh)和深度休眠DPD(Deep Power Down)等技术,来达到省电降低功耗的效果。现在Mobile DRAM已朝向DDR 2制程演进,

    目前包括三星、海力士、尔必达、美光、南科及华亚科、华邦、茂德等均投入行动DRAM领域,尔必达已将重心从标准型DRAM转向Mobile DRAM,后者营收已占整体DRAM营收50%以上;尔必达合作夥伴瑞晶今年第3季可望取得技转,首度量产Mobile DRAM,并导入30奈米制程。华邦则是锁定中低阶容量的虚拟SRAM产品区间,南科则已经推出Mobile LPDDR和LPDDR2样品。

    三星电子依旧站稳行动DRAM霸主地位,在3月初宣布采用50奈米技术开发出Wide I/O介面的行动DRAM样品,传输速率可达12.8Gb/s,功耗更可大幅降低87%,同时预计到2013年,三星可开发出20奈米制程、4GB封装容量的Wide I/O行动DRAM样品。值得注意的是,三星已经进一步量产30奈米制程、功耗可降低25%、厚度只有0.8公厘的低功耗LPDDR2产品,储存容量可达 1~2GB等级,将直接威胁其他竞争对手在智慧手机和媒体平板装置的生存空间。

关键字:智慧手机  平板  DRAM  声势看涨

编辑:什么鱼 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2011/0414/article_5960.html
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