尔必达推出采用30nm工艺的4Gbit“Mobile RAM”

2011-04-11 11:16:52来源: 技术在线


  尔必达存储器宣布,作为适用于智能手机和平板终端等移动产品的“Mobile RAM”新产品,该公司开发出了DDR2标准的4Gbit产品。该公司介绍说新产品采用30nmCMOS工艺,实现了“全球最小级别”的芯片面积、1.2V的低工作电压以及1066Mbps的高速数据传输。预定2011年4月内开始样品供货,2011年6月开始量产。

  随着智能手机和平板终端性能的提高,配备的DRAM要求实现大容量化和高速化。尔必达表示,容量方面,高端智能手机要求8Gbit、平板终端要求16Gbit的大容量DRAM。而且,还需要将这种大容量集成在移动产品允许的封装面积内。同样,还需要兼顾高速化和低功耗化。

  为了满足上述需求,此次的DRAM兼顾了大容量和省空间以及高速和低耗电。关于前者,4Gbit产品实现了全球最小级别的芯片面积,而且还准备了可以配备8Gbit和16Gbit产品的省空间型封装。供货形态除了FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装外,还备有PoP(Package on Package)以及MCP(Multichip Module)裸芯片。集成了两个4Gbit芯片的8Gbit产品,将封装厚度减至最小0.8mm。关于后者,新产品实现了1066Mbps的高速数据传输速度,同时与采用该公司两个40nm工艺2Gbit DRAM时相比,将工作电流削减了30%左右。首先将在广岛工厂开始量产新产品,之后台湾瑞晶电子(Rexchip Electronics)也将开始量产,以确保产品的稳定供应。

关键字:尔必达  30nm工艺  MobileRAM

编辑:什么鱼 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2011/0411/article_5804.html
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