华邦电子导入新一代512Mb LPDRAM行动内存

2011-04-08 00:41:14来源: 电子工程专辑台湾
   

    华邦电子(Windbond)以65奈米 Buried World Line 制程,推出四款512Mbit的行动内存,使行动内存除了移动电话产品应用领域之外,更扩展至手持消费性及行动数据通讯等市场,并有助于使其应用产品市场更加完备。
    W989D6C 与 W989D2C 为 512Mb mobile LPSDR 行动内存,分别支持 x16 及 x32 数据宽度。主要功能为 Sequential 或 Interleave burst、166MHz 工作频率、标准的 Self Refresh Mode、具省电目的的Partial-Array Self Refresh (PASR)、以及Automatic Temperature Compensated Self Refresh (ATCSR)、Deep Power-Down (DPD)、可程序 output buffer driver strength 。适用于手持多媒体播放器、电子书阅读器、车用产品、手持消费性电子产品、掌上型游戏机与其他手持装置。
    W949D6C 与 W949D2C 为 512Mb mobile LPDDR 行动内存,分别支持 x16 及 x32 数据宽度。主要可提供双倍率数据、Sequential 或 Interleave burst、166MHz 工作频率、标准的 Self Refresh Mode、省电的PASR及ATC SR、DPD、可程序 output buffer driver strength。适用于手持多媒体播放器、电子书阅读器、移动电话、3.5G/4G行动数据卡、车用产品、手持消费性电子产品、掌上型游戏机与其他手持装置。
    华邦电子将持续开发 46奈米制程,未来将用于生产更新世代行动内存。所有产品的样品皆自2011年三月开始提供,四月开始供货。

关键字:华邦电子  512Mb  LPDRAM

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2011/0408/article_5678.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
华邦电子
512Mb
LPDRAM

小广播

独家专题更多

TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved