海力士宣布下一代DDR4内存开发完毕

2011-04-06 20:11:09来源: EEPW业界
    三星电子抢先行动整整三个月之后,另一家半导体大厂海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4内存颗粒、内存条开发完毕。海力士已经开发出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM内存颗粒,以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM内存条,支持错误校验功能,均采用先进的30nm级别工艺制造,完全符合JEDEC组织制定的相关标准规范。

  海力士DDR4 DRAM内存颗粒的运行速度高达2400MHz,比目前主流的DDR3-1333快了整整80%,也比三星DDR4快了266MHz,同时运行电压仅有1.2V,64-bit I/O接口下数据传输带宽高达19.2GB/s。

  海力士计划2012年下半年开始批量生产这种高性能DDR4内存,主要提供给微型服务器(micro server)市场,暂无消费级产品规划。

  市调机构iSuppli认为,DDR4 DRAM在整个内存市场上的份额2013年约为5%,2015年即可超过50%成为主流,同时DDR3 DRAM内存在2012年达到71%的份额高峰,2014年就会迅速滑落到49%。

关键字:海力士  DDR4

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2011/0406/article_5610.html
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