行动DRAM瞬息万变 LPDDR2被谁后来居上?

2011-04-04 23:34:15来源: Ctimes
   

    智慧型手机和媒体平板装置大量传输数据的应用趋势,正改变行动DRAM记忆体的发展样貌,LPDDR2的出货量很有机会在今年底前取代LPDDR1,成为行动DRAM的主流记忆体规格。但其他新兴技术急起直追的态势,也值得密切注意。

    根据市调机构iSuppli预估,今年LPDDR2将成为在行动DRAM领域占主导地位的热门技术,预计在第2季之前,将可占行动DRAM市场40%的市占率。预计到第4季时,在媒体平板装置的带动下,LPDDR2可超越LPDDR1,市占率将达58%。

    行动DRAM市场今年可望呈现活络的态势,三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)半导体、尔必达(Elpidia)记忆体公司和美光(Micron)科技这四大家厂商,都积极关注行动DRAM市场的走向。

    不同于标准DRAM产品,行动DRAM更着重于降低功耗、减少散热以及缩小空间等关键功能和特性,来满足智慧型手机、数位相机、可携式媒体播放器、可携式游戏机、平板装置和其他消费电子产品的需求。

    不过行动DRAM也面临如何提升效能的关键挑战,尽管LPDDR2相对适用于手机和平板装置,但是功耗和传输频宽依旧是备受关注的核心。iSuppli举例指出,当系统在1.2V工作电压下运作时,相较于LPDDR1,LPDDR2在每单位资料传输可省下大约50%的功耗。不过未来当行动装置以10倍的单位资料传输运作时,LPDDR2所能省下的功耗就变得很少。

    LPDDR2的资料传输率可达8.5Gb/s,工作时脉可达1066MHz,相较于LPDDR1无疑是更为优秀的效能表现。例如三星公布最新款传输速率可达4Gb/s的LPDDR2,就采用30奈米制程,工作时脉可达1066MHz,1GB封装容量、传速率可达8Gb/s的产品,已在3月底量产。但这对于支援不久将来的智慧型手机产品而言,效能还不够;ISuppli就指出,业界所希望的资料传输率要能达到12.8GB/s的水准,LPDDR2的工作时脉势必要更往上提升,但这对于LPDDR2来说,可行性并不高,效能已经面临天花板局限。

    也因此,iSuppli指出,其他可替代LPDDR2的新兴行动DRAM技术依旧被市场所关注,例如Rambus主抓的Mobile XDR、SPMT协会所主导强调专利免费的SPMT(Serial Port Memory Technology)介面规格、Wide I/O、LPDDR3和DDR4等。推动SPMT介面的大厂包括三星、Silicon Image、安谋(ARM)、海力士、LG、迈威尔(Marvell)等。

    这五大新兴技术都强调具备比 LPDDR2更低的功耗特性,传输速率也几乎可达到12.8Gb/s的等级。除了Mobile XDR之外,其他新兴技术不用专利费用,3月初Toshiba已经取得Rambus长达5年的Mobile XDR专利授权。Mobile XDR和SPMT短期内可进入商业化阶段,LPDDR3的规格则尚未底定,至于DDR4要到2013年才会有具体的成果出现,LPDDR3和DDR4都不能采用LPDDR2的内核,也与既有的记忆体测试流程不相容。

    至于Wide I/O宣称可直接在矽晶层连结DRAM内核的特性。三星电子在3月初已经采用50奈米技术开发出Wide I/O介面的行动DRAM样品,传输速率可达12.8Gb/s,功耗更可大幅降低87%,三星电子并预计到2013年开发出20奈米制程、4GB封装容量的Wide I/O行动DRAM样品。Mobile XDR和Wide I/O后来居上的气势,不容小觑。

关键字:DRAM  LPDDR2

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2011/0404/article_5518.html
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