海力士看好存储器价格反弹

2011-04-02 14:19:43来源: eepw 关键字:海力士  存储器  价格反弹
    韩国存储器大厂海力士(Hynix)对DRAM及NAND Flash产业后市,发表脱离谷底的看法,对于台系DRAM厂而言,可望注入强心针。在硅晶圆部分,海力士与台厂目前都有1~2个月不等库存,短期仍可支应生产,但中长线来看,日本地震造成硅晶圆短缺问题仍待厘清,目前市场买盘多是边走边看,没有一窝蜂抢货,但也会担心日后供给吃紧造成涨价问题。

  日本地震过后,各家DRAM厂都纷纷调高售价,市场买盘强度中等,并未出现一窝蜂抢货情况,原本供过于求严重的DRAM产业,各业者都认为DRAM售价会逐渐触底反弹,美光(Micron)执行长Steve Appleton日前也出面表示,看好3~5月的DRAM报价将落底反弹,而30日海力士社长权五哲也呼应表示,存储器价格会逐渐落底反弹。

  硅晶圆方面,海力士认为目前库存还维持约45天,短期内不会受到影响;台厂认为,目前各家库存都维持1~2个月水平,短期内尚不成问题,但中长期来看,没有一家业者敢挂保证长期确定会供货无虑,因为2大硅晶圆厂都还为宣布完全复工,因此真正的供货压力会在5月之后浮现。

  台系DRAM厂中,南亚科和华亚科主要依赖台塑集团和Sumco合资的台胜科供应硅晶圆,供货上较为安全,而在尔必达(Elpida)阵营中,主要依赖这次受日本强震影响严重的信越半导体,加上是采用高阶制程用的EPI Wafer,目前也找其它硅晶圆供应商支持。

  虽然受到日本地震干扰,但三星电子(Samsung Electronics)和海力士在制程微缩进度上都持续往前,三星2011年下半30纳米制程会占超过50%比重,海力士也表示2011年底30纳米制程比重会提升至40%,2家公司也将开始持续研发20纳米制程,预计20纳米制程会在2012年问世量产。

  台厂在制程微缩进度上,相较三星等大厂会晚一些,2011年中开始,会陆续导入30纳米制程,其中南亚科和华亚科会和美光(Micron)共同转进37纳米制程,尔必达和瑞晶2011年也会陆续到入30纳米制程,进一步驱动成本下降。

  业者认为,这次日本强震后,虽然各厂都受到硅晶圆和化学材料供应不顺影响,但相较之下,其实韩系存储器厂受到影响较小,台湾则因为与日系业者联系度较高,因此多少会受影响;日前海力士即表示,可趁此机会逐渐提升全球市存储器的市占率。


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编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2011/0402/article_5452.html
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