安森美半导体180 nm工艺技术嵌入Sidense的1T-OTP存储器

2011-04-02 14:09:20来源: 电子产品世界 关键字:安森美  180nm  Sidense  1T-OTP  存储器
   

    领先的逻辑非易失性存储器(LNVM)一次性可编程(OTP)存储器知识产权(IP)内核开发商Sidense与应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商(ON Semiconductor)宣布,Sidence已将其180纳米(nm) OTP存储器SLP产品线移配到安森美半导体的180 nm数字及混合信号技术平台ONC18。

    此特许协议将使SLP宏模块能够用于安森美半导体的专用标准产品(ASSP),以及那些期望安森美半导体制造的专用集成电路(ASIC)产品中包含OTP IP的客户。此外,Sidence也将能够服务他们公司期望使用SLP宏模块及安森美半导体晶圆代工服务的客户。单个SLP宏模块的密度范围最高达250 Kb。

    安森美半导体数字及混合信号产品部高级副总裁Bob Klosterboer说:“随着我们的产品中内嵌Sidence安全可靠的OTP宏模块,安森美半导体在为客户提供涵盖多种应用的前沿硅产品方面,比竞争对手多了一项新增优势。我们选择Sidense的OTP IP,既是因为它功耗低、占位面积小,也因为它不用我们更改或增添标准工艺流程。”

    Sidence总裁兼首席执行官(CEO) Xerxes Wania说:“我们非常高兴与安森美半导体这样的业界领袖合作。此次协作将为安森美半导体添加又一珍贵IP资源,用于期望使用Sidence OTP以获得安全可靠及高性价比存储器的安森美半导体客户,还使Sidense能够服务我们那些期望使用安森美半导体晶圆代工资源的客户。”

关键字:安森美  180nm  Sidense  1T-OTP  存储器

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2011/0402/article_5451.html
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