SiGe:RF前端制造应加速向硅技术演进

2011-01-11 00:43:20来源: EEWORLD

    “在过去6个财政年度中,有5年我们的营收年增长率超过40%,我们为此深感自豪。”SiGe半导体企业及业务发展副总裁John Brewer如是说,这家利用CMOS技术制造前端模块及功率放大器的新兴半导体公司正在迅速发展,截止2010年公司低成本硅基RF前端已出货5亿枚,而未来,Brewer坚信只有RF前端制造向硅技术演进,无线连接性在消费电子产品中的应用潜力才会完全实现。

    以下是EEWORLD采访详细记录。

    EEWORLD:如果回顾2010年,您认为业界最大的变化是什么?为什么会产生这种变化?

John Brewer:消费者需求不仅推动设备功能和性能的发展。无线连接性在广泛的消费电子应用产品中的迅速普及——从短距离的蓝牙、无线局域网(WLAN) (Wi-Fi)、全球卫星定位系统(GPS)的实时定位,以至无线广域网(全球微波接入互操作性(WiMAX)和蜂窝)——满足了消费者对随心所欲的人机互动与网络接入的永不餍足的需求。手机演进为智能电话——附带可进行语音通信的、用于生产力提高和娱乐的设备。任天堂Wii巧用红外无线、微机电结构(MEMS)和蓝牙技术,扔掉了手持式控制器烦人的缆线,重新定义了游戏体验,并创建了一个颠覆性的全新市场领域;而且,它的价位还大大低于竞争产品。

    现在消费者需要基于功能的、允许自由想象的用户体验,要求供应商创建在一定价格范围内提升用户体验的方法。

    EEWORLD:如果总结2010年,贵司取得了哪些显着成绩?哪些又对业界产生了深远影响?

    John Brewer:在2009年的12个月和2010年截止4月2日的3个月中,SiGe半导体的营收分别为8690万美元和2070万美元。根据市场对更高集成度解决方案需求增加,以及对分立组件需求减少的状况,我们也相应地调整了产品组合。

    SiGe半导体自公司创建以来已付运超过5亿个硅基RF前端解决方案,其中主要包含Wi-Fi前端模块和功率放大器。在2010年的亮点包括两种关键产品的发布。首先,我们开始提供用于智能电话的2.4 GHz Wi-Fi射频前端,它采用芯片级组件(chip-scale assembly)方式,即不使用任何形式的封装,射频前端裸片直接组装在智能电话的线路板上。这样就重新定义了Wi-Fi产品的物理占位面积,改善了射频性能,并且降低了成本。其次,就是推出了业界首个基于硅技术的5GHz Wi-Fi射频前端。由于硅具有优于砷化镓(GaAs)的优势,使得硅能够在2.4 GHz 802.11bgn Wi-Fi市场中替代砷化镓,硅技术的功能集成优势实现了大量消费电子应用中双频带2.4/5 GHz Wi-Fi的演进。使用双频带可以为多媒体应用提供更宽的带宽,可以在一个或者另一个Wi-Fi频带上分别实现多种Wi-Fi应用(视频、VoIP、互联网访问),获得同时运行多个Wi-Fi应用的功能。

    EEWORLD:贵司2010年所发生的事情中,哪一件对您印象最为深刻?

    John Brewer:2010年SiGe半导体向美国证券交易委员会提交了申请发行股票的Form S-1申请表,要求初次公开发行普通股。发行股票数量和价格范围还未确定。我们将利用上市所筹集到的资金,扩大新品研发并进入新的终端市场领域,促进SiGe半导体继续快速增长。

    EEWORLD:您如何评价公司团队在2010年的表现?

    在过去6个财政年度中,有5年我们的营收年增长率超过40%,我们为此深感自豪。我们已获业界观察人士认可为北美增长最快速的半导体企业之一。

    EEWORLD:展望2011年,您认为业界将会发生什么样的变化?

    John Brewer:在电子产品中添加复杂的无线功能,简化设计及缩短上市时间将成为主要的挑战。

    SiGe BiCMOS 和 CMOS RF PA领域取得的进步,将促使消费无线连接行业不再受制于 GaAs 制造业的成本与产能约束,而 GaAs 制造业所受限制颇多。

    例如,仅仅IBM微电子公司自身的硅基RF PA和前端芯片产能就比整个GaAs行业的产能还要高。现有的SiGe BiCMOS代工产能,包括 IBM微电子、台积电(TSMC)、 TowerJazz、CSM和意法半导体,加上现有的制造产能,在可预见的未来可以满足消费电子产品对RF前端的需求。显而易见,只有RF前端制造向硅技术演进,无线连接性在消费电子产品中的应用潜力才会完全实现。

    EEWORLD:贵司将如何发展以适应这种变化?

    John Brewer:SiGe半导体是无晶圆厂的射频半导体企业,在射频前端解决方案中使用标准的基于硅的制造工艺。这些硅工艺能够实现规模经济效益和高水平的功能集成,使得我们能够在提供高性能射频前端解决方案的同时降低成本,缩短上市时间。

    虽然SiGe半导体专注于开发硅基RF前端解决方案,但我们是一家不受制于任一技术 (technology-agnostic) 的无晶圆厂半导体企业。我们针对每个客户的要求选择最佳工艺技术,我们拥有广博精深的射频(RF)系统专业知识,并采用包括 SiGe BiCMOS、绝缘硅 (SoI)、GaAs HBT和GaAs pHEMT的多项RF工艺。硅基半导体在成本、性能和集成度方面具备固有优势,而在射频市场上,SiGe半导体是提供基于这些技术之产品的领导厂商。

    EEWORLD:新年中,您最想对公司员工说的一句话是什么?

    John Brewer:我们将继续致力于提高客户的满意度,帮助客户实现“无处不在的无线多媒体”的无限想象,继续创造成功。

关键字:SiGe  RF  Wi-Fi  前端

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2011/0111/article_4117.html
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