高通明年推28纳米3G/4G融合双核芯片

2010-12-12 21:07:58来源: 通信世界网

  在日前召开的2010高通中国合作伙伴大会上,高通CDMA技术集团产品发展高级副总裁克里斯蒂安诺·阿蒙介绍称,高通将在明年推下一代基于28纳米规格的Snapdragon芯片系列产品,在芯片图形处理能力方面将是目前Snapdragon芯片的4倍。

  据阿蒙介绍,在明年推出的Snapdragon芯片中将出现全球首款多模3G/4G集成式芯片,在CPU方面采用新型微架构,将性能提升5倍以上。对于无线芯片而言性能只是芯片指标之一,然而功耗则是另一个重要指标,“明天推出的28纳米的下一代Snapdragon芯片在功耗性能方面降低75%左右。”

  阿蒙表示,Snapdragon在CPU和图形处理方面均有很大提升,同时在功耗方面进行有效控制,在无线芯片两大要素方面均有大幅度提升。

  目前,高通的Snapdragon芯片品牌已经成为了行业的标杆,同时也开创了无线芯片超于GHz主频的门槛,有数据显示,目前高通的合作伙伴已推出了55款基于Snapdragon芯片的终端,而在2010财年,高通公司MSM芯片总出货量达到3.99亿片,同比增长26%。

关键字:高通  双核芯片  28纳米  3G  4G  Snapdragon

编辑:小甘 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2010/1212/article_3980.html
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