瑞萨电子扩大其化合物半导体业务阵容

2010-11-10 10:16:25来源: EEWORLD 关键字:瑞萨  化合物  光电  RF  射频  氮化镓  GaN

    高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社(TSE:6723,以下简称瑞萨电子)于2010年10月7日正式宣布了加强公司化合物半导体业务的新目标,包括由化合物半导体(如砷化镓(GaAs))构成的光学器件和微波器件。瑞萨电子计划:(1)利用光电耦合器RF射频)开关IC和其它重点产品获取全球最大的市场份额(注释1)。(2)在2011年3月之前推出氮化镓GaN)基半导体产品。

    瑞萨电子预计,2010财年到2012财年化合物半导体市场的年平均增长率将达到8%。实现这一目标之后,公司预计可以将其化合物半导体业务扩大11%,超过了市场增长率。公司还计划,到2012财年将化合物半导体销售额提高1.2倍,从而成为业内领先的化合物半导体供应商。

    (1) 利用光电耦合器、RF开关IC和其他重点产品获取世界最大的市场份额

    瑞萨电子的目标是在光电耦合器和光学存储器件(注释2)市场上获取最大的份额,并进一步提高其RF开关IC和GaAs低噪声场效应晶体管(FET,注释3)的市场份额。

[光电耦合器]

    瑞萨电子计划加快开发高温操作、低功耗和小型封装,以便满足“绿色”市场不断增长的需求,如混合动力和电动车、LED照明系统与电表。

    公司计划通过结合面向高压和大电流输出的IGBT(绝缘栅双极晶体管)与微控制器(MCU)来进一步拓展光电耦合器的销售。公司特别决定通过将职员总数增加1倍来加强其海外营销职能。并且,市场需求预计将会大幅增长,因此瑞萨电子计划将其生产容量在2009年第4季度的基础上扩大1倍。

    通过上述措施,瑞萨电子将努力在2011财年获取光点耦合器市场世界最大份额。

[RF开关IC]

    至于可以在具有RF功能的电子器件(如手机和笔记本电脑)上实现收发转换、3G-GSM转换和天线转换的RF开关IC,瑞萨电子计划采用业内领先的新型低损耗晶体管,并推出采用小型封装技术的产品。

    为了灵活地满足客户需求,瑞萨电子将推出采用超小型封装的RF开关IC产品或以裸晶片的形式推出RF开关IC。公司还计划通过与美国、欧洲和中国台湾的芯片集供应商合作来扩展RF开关IC业务,从而为系统制造商提供参考设计。

    通过实现这些目标,瑞萨电子力图获取世界最大的RF开关IC市场份额。

(2) 在2011年3月之前推出GaN基半导体产品

    GaN能够在比现有半导体材料(如硅(Si)和GaAs)高的频率、输出功率和温度下运行,并且其工作频率比SiC(碳化硅)高得多,因而能够为高频应用实现更高的击穿电压和高速操作。

    与其他将多层制造方法应用到直径为3~4英寸的SiC基片上的公司不同,瑞萨电子通过将GaN层堆叠到Si基片上来生产电路。这种方法可以实现更大的晶圆(6英寸晶圆),并且还能够以较低的成本生产半导体器件。

    瑞萨电子计划先推出面向CATV(有线电视)放大器市场的、高可靠性、高功能GaN基产品。预计2011年3月开始发售瑞萨电子的首款GaN基产品样品 - 一款面向CATV的标准器件,它整合了多个GaN FET、冷凝器和其他器件。

    今后,瑞萨电子将力图进一步提高其重点产品(如光电耦合器和RF开关IC)的市场份额,并通过培育需要大功率和高频率的市场(如CATV放大器、微波和毫米波器件)、利用新开发的GaN基产品扩展化合物半导体业务。

(注释1)资料来源:瑞萨电子。
(注释2)可见激光二极管、PDIC。
(注释3)FET(场效应晶体管):一种能够实现高速转换的晶体管结构。

关键字:瑞萨  化合物  光电  RF  射频  氮化镓  GaN

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2010/1110/article_3840.html
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