下世代内存大战起 国际大厂攻势凌厉

2010-05-11 09:24:34来源: DigiTimes

      期相变化内存(PCMorPRAM)市场战况火热,继三星电子(SamsungElectronics) 宣布将相变化内存用在智能型手机(Smartphone)用的MCP(Multi-ChipPackage)芯片问世后,恒忆(Numonyx)也宣布推出针对PC、消费性电子和通讯市场使用的相变化内存新品牌Omneo,采用90奈米制程,容量达128Mb,随着国际大厂接连发动攻势,让原本冷门的相变化内存市场一夕之间热了起来!

    全球相变化内存分为3大阵营,包括恒忆/英特尔(Intel)、三星、旺宏/IBM,三星日前推出主攻智能型手机MCP应用的PRAM,以及恒忆的PCM产品等,虽然PRAM、PCM等产品的名称相异,但属于相变化内存技术

    相较于三星宣布相变化内存新产品在初期要瞄准手机MCP市场,恒忆则是成立全新的品牌Omneo,特别为需要量身订做的客户来服务,应用范围不局限于手机,包含有线及无线通信、消费电子产品、PC和嵌入式应用产品等。

    恒忆不但看好相变化内存是1988年闪存问世以来,下一代接棒的新内存明日之星,也认为这次推出的新PCM产品可较现有的闪存写入速度快300倍,并可同时支持序列式闪存(SerialNORFlash)和并列式闪存(Pa!rallelNORFlash)界面。

    恒忆的第1款PCM产品是在2008年12月推出,支持10万次的耐写次数,这次推出的第2款新产品是采用90奈米制程生产,容量可达128Mb,耐写次数更提高到100万次,目前恒忆的Omneo品牌产品已大量供货。
 
    恒忆副总裁暨嵌入式业务部总经理GlenHawk则表示,目前设计工程师必须使用不同类型的内存以进行编码储存、执行以及数据储存应用,新PCM产品可让设计过程更简单化。

    相变化内存是现在各种下世代内存中,最被看好的一种,同时也因英特尔、三星等大厂力推,2010年开始逐渐导入终端应用,此款内存的材料是锗硒锑GST,兼具DRAM和NANDFlash内存的优缺点,虽然2010年开始用于终端市场,但稳定=仍需进一步观察。

    此外,美光(Micron)正式完成与恒忆的购并程序后,也顺势加入下世代内存技术大战,在美光获得相变化内存技术后,可增加美光在消费性电子、手机等应用上内存的研发实力。

 

关键字:三星电子  内存

编辑:金继舒 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2010/0511/article_3072.html
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