内存疯、闪存喷 存储业界涨势深度分析

2009-10-19 14:15:46来源: 网易

       9月DRAM价格猛增13% Flash亦涨4%

    最近几个月来,DRAM价格连连上涨,同时也拉升了NAND Flash颗粒的价格。各大晶圆厂和模组厂也都连连传出利好消息。虽然各大内存厂商的产品订单和资金流相较2009年年初的金融海啸时期已经有较大起色,但是这内存的价格上涨也波及到了电子卖场中的零售价格。那么究竟现在的内存产品是怎样的一个局面呢,下面小编就给大家来个深度分析,给你讲讲这里面的道道。

    9 月的1Gbit DDR2 DRAM的平均报价约为 1.70 美元,较上个月多出了近 13%。DDR2产品出现缺货情况,因日本和南韩的记忆体晶片制造商,皆已转向生产 DDR3 DRAM。PC制造商对DRAM的需求增长强势,部分原因在于微软的新系统 Windows 7 需要,Windows 7将于10月22日正式公开亮相。虽然说Windows7不是救世主,但是Windows7也极大的刺激了内存方面的消费。一般用以制造随身型音乐播放器的16GB NAND Flash,9月平均价格增加4%到4.70 美元。32GB的款式价格则上扬11% 至约7.50 美元。

    智能手机的普及,也提高了Flash记忆体的需求。一位分析师臆测指出,此波价格上涨乃因为苹果公司大幅调升其iPhone 3GS产品的生产数量。苹果最新发行的iPod播放器,销售情况也相当优秀强劲。另一方面,全球第2大的NAND制造商东芝高层人士指出,大容量SD卡的需求也正与日俱增。无论是内存还是闪存,在10月的时候,还会有进一步上扬的态势。我国南方山寨厂商,要想进一步压低成本,可以在最近多囤积一些内存闪存,以便应付即将到来的圣诞节和春节的大批量订单。

    DRAM现货坐地起价飙到2.5美元

    本月初DRAM站稳2美元后,随旺季需求延续,上周以来DRAM涨势加速,每天都以上涨逾3%的幅度前进,目前DDR3、DDR2持续走涨,1Gb DDR2 800MHz上涨2.71%,来到2.5美元,创近一年半新高价。

    1Gb DDR2上涨2.64%,为2.41美元;1Gb DDR3上涨1%,来到2.35美元。预计本月上旬现货价飙涨超过两成,1Gb DDR2不但抵2.5美元,且价格超越DDR3,预期短期仍有机会挑战新高,惟波段涨幅已高,本月下旬涨势可能降温。随现货走扬,力晶积极扩产,有利10 月营收再攀高。9月南科合约价涨幅约15%,本月合约价涨势可望加温,预估南科10月合约价涨幅二成以上。

    高规格生产工艺吓死人

    日本记忆体晶片大厂尔必达宣布,将在年底导入40纳米制程量产,尔必达在台合作伙伴力晶、瑞晶随后跟进,成本竞争力大增。由于40纳米技术可增加近五成产出,尔必达联盟对后段封测协力厂力成将扩大订单,同步受惠。尔必达计划斥资400亿日圆约为4.52亿美元,跨入40纳米制程以提高产出,尔必达表示,由现今50纳米制程微缩到下个世代制程,每片晶圆产出可增加44%。

    另外半导体大厂三星子、海力士半导体均大举微缩制程,以增加单一晶圆的产出量。透过制程微缩来降低成本,平均每一个纳米世代,所投入成本约10亿美元左右。伴随着记忆体价格回升,今年以来主流DRAM价格约上涨3倍之多,具有实力半导体厂展开另一回合制程竞赛。

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关键字:内存  DRAM  40纳米

编辑:金继舒 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2009/1019/article_1856.html
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