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三星看好PCM内存潜力 有望取代NAND和NOR闪存

2009-10-12 10:25:58来源: CNET 关键字:三星  PCM  34纳米  10纳米  12纳米

       三星表示,PCM(相变内存)所具有的体积小及节电优势可能让这种内存替代现有的移动存储形式.

    多年来,半导体厂商一直在致力研究PCM内存,不过,它一直处于试验阶段.PCM内存当中包含有类似玻璃的材料,当其中的原子重新排列,它的状态就会发生改变,晶体的变化对应计算上的0,1状态,从而可以用于数据存储.

    一直以来,包括英特尔和英飞凌在内的很多公司都在从PCM的研发,他们试图将这种存储器的体积减小,增存储加速度与容量.支持PCM的人士认为,PCM最终可能取代NAND和NOR闪存.

    三星半导体公司的技术营销经理Harry Yoon认为,PCM最早将被应用于手机等移动设备当中,它可以节省30%的耗电.

    三星已经开始制造512Mb的PCM内存,三星将根据需求提高其产量.

    分析师们认为,尽管PCM内存的研究取得了不小进步,但这种内存仍然处于研究阶段,要想取代现有的内存形式尚需多年时间.Objective Analysis研究机构的分析师Jim Handy表示,PCM内存取代现有的移动设备存储需要多年时间.

    Handy还表示,PCM内存的制造在一定的工艺下会变得可行,目前,内存制程为34纳米水平,PCM内存制造需要将工艺制程降至10到12纳米水平.

    分析师们表示,PCM内存可能取代现有移动设备当中的NOR闪存.Forward Insights公司分析师Gregory Wong说,和NOR闪存相比,PCM内存的数据访问速度更快,耐受性更好.与现有的内存相比,PCM可以极大节省耗电.

    PCM要想挤掉NAND,价格是一大障碍.

    东芝最近表示,自己可以用10纳米制程生产NAND闪存.在芯片体积上,NAND与PCM有得一拼.不过,NAND也有发展极限,到那时,PCM内存可能大行其道.

    短期来看,PCM还需要克服研发以及成本的障碍.

    不过,分析师认为,三星宣布制造PCM内存是一个里程碑式的事件.Handy说:“PCM内存由此步入大规模生产阶段.”

    英特尔和STMicroelectronics成立了Numonyx合资公司,该公司也开始PCM设备的商业发售.三星和Numonyx今年初宣布,他们将联合制定PCM规范.

    除了PCM,业界还在开发其它内存技术,包括MRAM(磁阻随机存取内存)以及RRAM(非挥发性阻抗存储器).

关键字:三星  PCM  34纳米  10纳米  12纳米

编辑:金继舒 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2009/1012/article_1827.html
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