业界高层预言关于NAND闪存市场的8大趋势

2009-08-25 10:12:47来源: 电子工程专辑

      在近日于美国举行的快闪记忆体高峰会(Flash Memory Summit)上,一位业界高层对NAND市场做出了大胆的预测。在专题演说中,SanDisk创办人暨总裁、执行长Eli Harari警告,NAND产业正处于“十字路口”,主要是因为市场产能供应与需求之间存在“隔阂”。

      以下是Harari对NAND快闪记忆体市场的8个预言:

      1. 产业已经开始复苏。在经历衰退之后,NAND正朝向复苏之路,目前的市场供需平衡处于较佳的状态。

      2. NAND平均价格(ASP)并没有像过去下跌得那么快。预计在2010~2013年之间,NAND价格的年衰退幅度在40%左右;而该数字在2005年~2009年之间大约是60%。

      3. 多位元(multi-bit)技术持续当道。在2009年~2015年之间,x3 (3-bit-per-cell)与x4 (4-bit-per-cell)技术将会取代目前的2-bit-per-cell主流技术。

      4. 受管理型(Managed) NAND将成市场主角。控制器晶片将成为NAND市场关键,以支援NAND包括固态硬碟(SSD)在内的不同应用;未来市场焦点将会由未加工(raw) NAND──或者说是离散式零件──转向受管理型NAND。

      5. NAND仍将称霸通用记忆体技术。在NAND之外尚未诞生可行的通用记忆体技术,包括FRAM、MRAM与相变化(phase-change)记忆体等等,都还上不了台面。

      6. 3D技术可望冒出头。3D读写(3-D read/write)有可能从通用记忆体技术竞争中崭露头角;SanDisk与Toshiba正在研发可能取代NAND的3D技术。不过尽管材料上能取得突破,向3D记忆体技术的转移还需要数年时间。

      7. 18吋晶圆技术是未知数。NAND厂应该不会从12吋晶圆转向18吋晶圆,所需的资本支出成本实在太高。

      8. 超紫外光(EUV)技术濒临危机。目前的先进NAND制程是采用193纳米浸润式光刻(immersion lithography);而NAND供应商们将会发现要转向EUV是件困难的工作。
 

关键字:NAND闪存

编辑:金继舒 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2009/0825/article_1702.html
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