飞兆半导体推出双MOSFET器件FDMC8200

2009-07-09 23:30:27来源: EEWORLD

      飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为设计人员带来业界领先的双MOSFET解决方案FDMC8200,可为笔记本电脑、上网本、服务器、电信和其它 DC-DC 设计提供更高的效率和功率密度。该器件在3mm x 3mm MLP模块中集成了经优化的控制 (高侧) 和同步 (低侧) 30V N沟道MOSFET,二者均使用的专用先进高性能PowerTrench 7 MOSFET技术,提供出色的低RDS(ON)、总体极电荷(QG)和米勒电荷 (QGD),这些性能最大限度地减少传导和开关损耗,带来更高效率。FDMC8200高侧RDS(ON) 通常为24mOhm,低侧则为9.5mOhm,可提供9A以上电流供主流计算应用,而经优化的引脚输出和占位面积,为布局和路由带来便利,并简化设计。

      FDMC8200通过先进的封装技术和专有PowerTrench 7工艺,节省空间并提升热性能,解决DC-DC应用的主要设计难题。采用紧凑型高热效3mm x 3mm Power33 MLP封装和PowerTrench 7技术,其本身能够提供高功率密度、高功率效率和出色的热性能。

      这款双MOSFET器件是飞兆半导体广泛的先进MOSFET技术产品系列的一部分,全系列均拥有广阔的击穿电压范围和现代化的封装技术,实现高效的功率管理和低热阻的特点。同系列其它产品包括集成了FET模块的FDMS9600S 和FDMS9620S器件,同样能够显着减少电路板空间,并提升同步降压设计以达到更高的转换效率。


      单价(订购1000个):0.50美元

      供货:现提供样品

      交货期:现已可付运

关键字:飞兆  MOSFET  FDMC8200

编辑:小甘 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2009/0709/article_1588.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
飞兆
MOSFET
FDMC8200

小广播

独家专题更多

TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved