飞兆MicroFET™ MOSFET有效延长电池寿命

2009-03-20 20:28:27来源: EEWORLD

      专业提供可提升能效的高性能产品全球领先供应商飞兆半导体公司推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 双N沟道和单N沟道MOSFET器件,可为手机、电动牙刷和须刨等应用延长电池寿命。

      这两款产品采用具有高热效的2mm x 2mm x 0.8mm MicroFET MLP封装,适用于空间受限的应用,提供出色的功耗和超低RDS(ON) ,能大大延长电池的寿命,这些高效MicroFET MOSFET有助于应对现今功能丰富的便携式应用所对的功耗挑战。

      FDMA410NZ为便携产品设计人员提供了业界最低的RDS(ON),4.5V时为23 mΩ,采用纤细 2mm x 2mm封装,两款产品均可确保在VGS低至1.5V时达到RDS(ON)额定值,适用于锂离子或原电池应用。

      飞兆半导体性能先进的PowerTrench MOSFET工艺技术可实现非常低的RDS(on)、总极电荷(QG) 和米勒电荷(QGD),从而获得出色的开关性能和热效率。相比传统的MOSFET封装,其先进的MicroFET封装提供了卓越的功耗和传导损耗特性。

       飞兆半导体提供广泛的高热效、超紧凑、薄型2mm x 2mm器件,适合各种低功耗应用。这些易于使用、高性能、而且节省空间的MOSFET是低压开关、功率管理和电池充电系统的理想选择。

关键字:飞兆半导体  MicroFET™  MOSFET

编辑:赵丽 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2009/0320/article_1191.html
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