Zetex发布采用DFN322无铅封装的MOSFET产品ZXMN2F34MA

2008-03-27 14:41:55来源: 互联网 关键字:MOSFET  Zetex  功率  反向恢复  铅封  器件  沟道  模拟信号处理  散热性

  模拟信号处理功率管理方案供应商Zetex Semiconductors(捷特科)公司推出其首款采用无铅 2mm x 2mm DFN 封装MOSFET产品ZXMN2F34MA。该器件印刷电路板占位面积比行业标准 SOT23 封装器件小50%,板外高度只有 0.85 mm,适用于各类空间有限的开关及电源管理应用,如降压/升压负载点转换器中的外置开关。对这些应用而言,印刷电路板的占位面积、散热性能及低阈值电压是最重要的。

  MOSFET是 Zetex 六款新型低电压 (20V和30V)N沟道单双器件系列的一款,该系列有不同的表面贴装封装可供选择。

  尽管尺寸缩小了,额定电压为 20V 的 ZXMN2F34MA的散热性能却胜过体积比它大得多的 SOT23 封装。该器件采用的 DFN322无铅封装可保证热阻比同类产品低 40%,有助于降低工作温度和改善功率密度。在 4.5V 和 2.5V 的典型栅源极电压下,ZXMN2F34MA的导通电阻值分别仅有60mΩ和120mΩ。

  此外,新器件的反向恢复电荷较低,可减少开关损耗和电磁辐射(EMI)问题,非常适用于笔记本电脑、移动电话及通用便携电子设备等低电压应用,这些应用需要降低在线功率损耗来延长充电间隔时间。

  ZXMN2F34MA 系列采用 DFN322 封装,其中 ZXMN2F34FHTA、ZXMN2F30FHTA和 ZXMN3F30FHTA 三款采用 SOT23 封装的 N 沟道MOSFET;ZXMN3F31DN8 和 ZXMN3G32DN8 两款则是采用 SO8 封装的双 N 沟道器件。

  相关信息

  * 功率管理知识介绍

  今天的功率管理技术,特别是在变速运动控制和高效率照明领域里,都是很重要的工具,我们可以利用它来解决一些非常严峻的能源问题。利用功率管理技术,我们可以把现在浪费了的几十亿BTU(相当于200万亿千瓦小时的电力)能量转变成燃料,为全世界更多的人带来光明。复杂的功率管理问题,例如电子运动控制,是需要用系统的方法来解决的。个别标准电子元件的效率和性能不再足以节省更大量的电力。用于功率管理的综合设计平台使用创新的结构,把不可缺少的数字、模拟和功率级的电路整合在一起。专家们现在必须把硅半导体、封装和软件各方面的技术结合,构成综合性的设计平台,以提供功率管理解决方案。

 

关键字:MOSFET  Zetex  功率  反向恢复  铅封  器件  沟道  模拟信号处理  散热性

编辑:王婷婷 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2008/0327/article_22.html
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