音频功率放大器NCP2890的原理与应用

2007-03-09 19:03:27来源: 互联网
摘要:介绍了安森美半导体(On Semi)公司A-B类音频功率放大器NCP2890的主要性能特点和基本工作原理,给出了用NCP2890设计音频功放的典型应用电路和设计方法。 关键词:NCP2890;A-B类;音频放大器 1 概述 NCP2890是安森美半导体(On Semi)公司推出的经济高效、功能齐备的音频系列产品中的第一款音频功率放大器,它是专为手机和PDA等电池供电的无线设备而设计生产的,是一种质量非常优秀的无线应用A-B类音频功率放大器,可为客户提供卓越的音频性能。该器件在具有出众的电源抑制比(PSRR)和总谐波失真加噪声(THD+N)特性的同时,综合了外部控制增益特征和可调式开机与关机延时功能,并具有“开机和关机”控制电路,能消除开启和关闭此类音频功率放大器时产生的可听噪声,可灵活应用于便携式音频设备的设计中。NCP2890允许锂离子或锂聚合物电池直接供电,因而省却了额外的低压降稳压器(LDO),同时减少了电路板的占用空间并降低了整体成本。 2 芯片结构与性能参数 为满足特定市场的需求,NCP2890目前有Mi-crobump-9(2.25mm2)和Micro-8(14.7mm2)两种不同的封装形式,图1所示为其引脚排列图,各引脚的功能如表1列。 Microbump -9 Micro8 名 称 功 能 A1 4 INM 音频信号反输入端,外接Rf与Rin A2 5 OUTA 反相输出端,外接负载 A3 3 INP 同相输入端 B1 NA VM_P 接地端 B2 7 VM 接地端 B3 6 Vp 电源输入端,电压范围为2.2V-5.5V C1 2 BYPASS 外接旁路电容端 C2 8 OUTB 同相输出端,外接负载 C3 1 SHUTDOWN 关断控制端,低电平有效 NCP2890内部包括671个晶体管、1899个MOS门电路,因而具有极佳的音频性能,表2给出了NCP2890的主要性能参数。 表2 NC2890主要性能参数 参 数 最 小 标 准 最 大 单 位 电源电压(Vp) 2.6   5.5 V 输出功(Po) 0.28   1.08 W 效率(η)   63   % 静态电流(Idd) 1.5 1.7 4.0 mA 总高次谐波加噪声(THD+N)   0.02   % 电源抑制比(PSRR V+)   -74   dB 信噪比(SNR)   84   dB 启动电压V(SDIH)   1.2   V 关闭电压(VSDIL)   0.4   V 启动时间(TWU)   285   ms 关闭时间(TSD)   385   ms 3 应用电路设计 图2所示为NCP2890音频功放的典型应用电路,由图2可见,NCP2890外围只有用来调节增益的两个电阻、一个输入耦合电容、一个旁路电容等少数几个元件,因此所需外围器件极其简单。 3.1 电路工作原理 NCP2890内含两个完全一样的功率放大器,输入的音频信号经第一个功率放大器放大后从OUTA输出。电压增益由外接电阻Rf与Rin的比值决定。放大后的音频信号再经增益为1的第二个功率放大器进行反相放大,并从OUTB输出。由于OUTA端与OUTB端输出的音频功率信号大小相等、相位相反,且两个输出端(OUTA和OUTB)的直流静态电位相同(Vp/2),所以,扬声器可以直接连接到OUTA与OUTB端,而不用增加输出耦合电路。两个功率放大器的输出级均采用PMOS和NMOS晶体管特殊设计而成。正常导通时,其沟道电阻小于0.6Ω,因而其输出波形失真非常小。 一般的功率放大器在开启和关闭过程中会产生人耳可听到的噪声,为了消除这种可听噪声,在NCP2890内部专门设计了消噪声电路。开机时,逻辑高电平加到开关控制端,旁路电容Cby上的直流电压值开始按指数规律增加,当电压值达到共模电压值(Vp/2)时,开始输出功率(此过程大约50ms);而关机时,控制端接低电平,负载被连接到接地端,输出功率为零,此时电路的直流静态电流小于100nA。 3.2 电路元件参数设置 Rin与Rf用来设置放大器的闭环增益,为了优化NCP2890的性能,放大器的闭环增益应该设置在较低的水平,此时THD最小,信噪比最大,频率响应范围最宽。所以在多数情况下,放大器的闭环增益一般设置在2~5之间,因此,输入电阻(Rin)的取值D在20kΩ比较合适,而Rf则用来调节闭环增益以控制输出功率。 输入耦合电容Cin用来隔离放大器输入端的直流电压,同时可与Rin组成一个高通滤波器,但它会影响滤波器的下限截止频率。为了使低频信号不至于衰减过大,理论上,Cin应该取较大的值,而较大容量电容的充放电时间较长,因此,需要较长的时间才能使输入端的静态电位达到Vp/2,而这易使输出端产生开机噪声。所以,在多数情况下,Cin的取值一般在0.1~0.39μF之间比较合适(Rin=20kΩ时)。 旁路电容Cby是共模电压(Vp/2)的滤波器,是决定开机时间的长短、减少开机噪声的一个关键元件,在多数情况下,旁路电容Cby取1.0μF比较合适。 R1和R2组成的分压电路用于产生芯片的启动电压,一般R1取值100kΩ,设计时可根据电压值来选择R2的阻值,只要使分压值约大于1.2V即可。 3.3 使用注意事项 当电路达到最大输出功率Porms=1.0W,Vp=5.0V,RL=8.0Ω时,负载上的峰值电流为500mA。为了防止输出负载断路时产生过大的输出电流,芯片内设置了输出电流检测电路,它可将最大输出电路限定为800mA。这样,一旦输出电流超过800mA时,输出端的四个MOS晶体管将被门控电压关断而不再输出电流。 当芯片温度超过160℃时,内部放大器将被关闭而停止工作,直到温度低于140℃时,内部放大器才重新启动开始工作。 尽管NCP2890内部含有过流和过热保护电路,但是在使用时,一定要注意供电电源电压不能超过其极限值,以免造成芯片损坏。

关键字:原理  应用

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2007/0309/2902.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
原理
应用

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved