Qorvo® 新款GaN 50V 晶体管可大幅提升系统功率性能

2016-06-02 10:07:03来源: EEWORLD
2016年6月2日,移动应用、基础设施与航空航天、国防等应用中领先的RF解决方案供应商Qorvo, Inc.今日宣布,推出六款全新50V氮化镓(GaN晶体管---QPD1009和QPD1010,以及QPD1008(L)和QPD1015(L),专门设计用于优化商业用雷达、通信系统及航空电子应用的功率性能。
 
Qorvo 国防与航空航天产品总经理Roger Hall表示:“全新50V GaN晶体管系列通过提供更高功率增益和功率附加效率来提升系统性能。Qorvo可以更好地实现相位阵列雷达等先进设备的要求,提供更高性能,同时管理好尺寸、成本和功率。”
 
Qorvo的全新50V GaN晶体管系列可通过更出色的系统级效率大幅节省操作和系统成本。该系列采用小尺寸和较高阻抗输入/输出引线,可帮助优化雷达、通信、航空电子、宽带放大器和测试仪表的电路板设计。
 
QPD1009和QPD1010现在采用低成本的3x3mm QFN塑料封装,而QPD1008(L)和QPD1015(L)现在则采用行业标准的热性能增强型NI-360气腔陶瓷封装,提供有耳式和无耳式版本。该GaN晶体管系列的工作功率水平为 10W至125W。
 
Qorvo是全球领先的GaN RF供应商。自1999年起,Qorvo 就一直在推动GaN研究和创新,提供经过检验的GaN电路可靠性和紧凑型、高效率产品。Qorvo于2014年完成了GaN on SiC计划。公司还是唯一一家达到制造成熟度(MRL)9级的GaN供应商。Qorvo一直推动GaN产品的下一代系统创新(从直流到Ka频段),凭借其可靠性能、低成本维护和长运行寿命,成功实现从工厂到现场的转变。

关键字:Qorvo®  GaN  50V  晶体管

编辑:杜红卫 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/wltx/article_2016060213806.html
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