ST BiCMOS55 SiGe技术为未来移动网络基础设施奠定基础

2015-08-04 16:27:13来源: EEWORLD
意法半导体的基于BiCMOS的射频收发器可让移动回程线路网络数据速率高达10Gbps,同时提高毫米波段频谱利用率
 
中国,2015年8月4日——意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)的BiCMOS55 SiGe先进技术被欧洲E3NETWORK项目组采用,用于开发适合下一代移动网络的高效率、高容量数据传输系统。
 
移动数据使用量的迅猛增长,要求网络系统支持更大的容量和更高的数据传输速率。而如何加快移动网络向先进网络架构转型的速度,对移动回程线路(backhaul)基础设施是一个新的挑战,例如异构网络(Heterogeneous Network)与云端无线接入网络(RAN, Radio Access Network),其中更高频段(例如E-band)可提供更大带宽,以支持更快的数据传输通道。
 
建设这些超高效率的移动网络,设备厂商需要拥有高性能且低功耗、低成本的大规模集成电路电子元器件。E3NETWORK项目利用意法半导体的高集成度、低功耗BiCMOS55Si制造工艺,开发出55纳米的Ft高达320GHz的异质双极晶体管(HBT, Heterojunction Bipolar Transistors)。这项制造工艺准许在一颗芯片上集成高频模拟模块与高性能、高容量的数字模块,例如逻辑电路、AD/DA转换器和存储器。
 
E3NETWORK项目采用意法半导体的BiCMOS55制造,目前正在研发一个集成化的E-band收发器,用于去程线路(Fronthaul)和回程线路基础设施,以实现数字多层调制,及高度聚焦的笔形波束(Pencil-beam)传输,数据速率可高达10Gbps。笔形波束的属性有助于提高回程线路和去程线路频率再用率,同时在毫米波(millimeter-wave)间隔期间保护频谱利用率(Spectrum efficiency)不受影响。 
 
作为欧盟第7框架计划中的一个项目,E3NETWORK(Energy efficient E-band transceiver for backhaul of the future networks)汇集了众多企业,其中包括CEIT(西班牙)、Fraunhofer(德国)、阿尔卡特朗讯(意大利)、CEA(法国)、INXYS(西班牙)、OTE(希腊)、SiR(德国)、Sivers IMA(瑞典)和意法半导体(意大利)。
 
编者注:
 
ST的BiCMOS技术将两种不同制造工艺的优势整合在一颗芯片上,双极晶体管提供高传输速率及高增益,这对于高频模拟电路至关重要,而CMOS元器件在构建简单、低功耗逻辑门方面的应用表现也非常出色。
 
通过在一颗芯片上集成射频、模拟及数字电路,意法半导体BiCMOS55 SiGe器件不仅大幅降低了外围设备的数量,亦能够同时进行功耗优化。

关键字:BiCMOS55  SiGe  ST

编辑:chenyy 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/wltx/2015/0804/article_12998.html
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