恩智浦推基站用Gen9+LDMOS射频功率晶体管

2014-06-06 12:21:00来源: EEWORLD

  据外媒报道,恩智浦半导体NV已经推出Gen9+LDMOS射频功率晶体管,适用于无线/蜂窝基站,相比Doherty系列提升5%的效率。

  Gen9晶体管为Doherty功率放大器(对称和非对称)而设计,可在现有的封装选项下提供基准功率密度。Gen9在频率范围3.4-3.8GHz频段进行了优化操作,这些频段资源被批准释放后,明年这些有优化操作将被运营商使用。

  随着4G移动数据业务在全球的迅速推广,Gen9产品系列是专门针对紧凑,高效,高性能LTE基站而推出,延续前几代LDMOS的良好品质和技术基因,Gen9将以业界领先的成本优势,提供更高的效率和出色的线性功能。

  众所周知,恩智浦的LDMOS射频功率晶体管的面世的初衷是众多电信市场的需求,也解决了蜂窝标准和频率多样性带来的挑战。Gen9继续延续这一优势,在比目前运营商使用频率更高的范围内不断优化,使设计人员能够更好的开发新设备,当2015年这些高频资源被示范时,设备已就绪。

关键字:恩智浦  Gen9  LDMOS  射频功率晶体管

编辑:孟娟 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/wltx/2014/0606/article_12315.html
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