恩智浦推基站用Gen9+LDMOS射频功率晶体管

2014-06-06 12:21:00来源: EEWORLD

  据外媒报道,恩智浦半导体NV已经推出Gen9+LDMOS射频功率晶体管,适用于无线/蜂窝基站,相比Doherty系列提升5%的效率。

  Gen9晶体管为Doherty功率放大器(对称和非对称)而设计,可在现有的封装选项下提供基准功率密度。Gen9在频率范围3.4-3.8GHz频段进行了优化操作,这些频段资源被批准释放后,明年这些有优化操作将被运营商使用。

  随着4G移动数据业务在全球的迅速推广,Gen9产品系列是专门针对紧凑,高效,高性能LTE基站而推出,延续前几代LDMOS的良好品质和技术基因,Gen9将以业界领先的成本优势,提供更高的效率和出色的线性功能。

  众所周知,恩智浦的LDMOS射频功率晶体管的面世的初衷是众多电信市场的需求,也解决了蜂窝标准和频率多样性带来的挑战。Gen9继续延续这一优势,在比目前运营商使用频率更高的范围内不断优化,使设计人员能够更好的开发新设备,当2015年这些高频资源被示范时,设备已就绪。

关键字:恩智浦  Gen9  LDMOS  射频功率晶体管

编辑:孟娟 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/wltx/2014/0606/article_12315.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
恩智浦
Gen9
LDMOS
射频功率晶体管

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved