高通RF360炮火全开 CMOS PA崛起

2014-05-26 08:49:18来源: 新电子

    互补式金属氧化物半导体功率放大器(CMOS PA)可望大举进驻智慧型手机。手机晶片大厂高通(Qualcomm)日前宣布,其RF360射频(RF)前端系列产品已悉数问世,并获得全球超过十五家原始设备制造商(OEM)用于七十五款行动装置设计。一旦顺利量产商用,将有助扩大CMOS PA在智慧型手机市场的渗透率。

    高通RF360前端解决方案正式获中兴旗舰级手机Grand S II LTE采用,意味其CMOS PA技术已可满足长程演进计划(LTE)市场的高频操作性能需求,未来CMOS PA将于支援LTE及LTE-A载波聚合(CA)技术的行动装置市场中大行其道,颠覆射频前端产业版图。

    高通台湾区行销总监李承洲表示,高通去年虽已发布RF360前端方案,但仅先推出封包功率追踪晶片(Envelope Power Tracker)--QFE1100及可配置天线匹配谐振器(Configurable Antenna Matching Tuner)--QFE1510,至今年初整合天线切换器(Antenna Switch)的CMOS PA问世后,全系列产品才全数到位。

    中兴最新的旗舰机Grand S II LTE,系最先导入完整RF360方案的智慧型手机。此外,目前还有超过十五家OEM、多达七十五款的行动装置已采用RF360进行导入设计,预计今年下半年或明年相关终端产品即可陆续出笼;显见CMOS PA效能已可满足LTE市场的高频操作要求,未来在智慧型手机市场中的能见度将可显著攀升。

    据了解,由于全球通讯市场频段需求分歧,高通将CMOS PA分为QFE2320及QFE2340两种版本;前者支援六个中低频频段,后者则支援四个高频频段,因此行动装置制造商可依照产品发布地区频段变化,选择任一颗导入或同时将两颗整合至RF360前端方案中。

    另一方面,QFE2320整合PA与天线切换器的设计可简化绕线(Routing)、降低前端设计中的RF元件数,并缩小印刷电路板(PCB)占位面积;至于QFE2340则采用全球首次商用化的晶圆级奈米规格封装(Wafer Level Nano Scale Package, WL NSP),整合发送器/接收器(Transmitter/Receiver)模式切换器。

关键字:高通  RF360  CMOS  PA  互补式金属氧化物半导体功率放大器

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/wltx/2014/0526/article_12244.html
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