超耐用LDMOS提升功率:恩智浦发布BLF188XR

2013-08-13 11:17:34来源: EEWORLD

   中国上海,2013年8月13日讯 – 恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克代码:NXPI)今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS 射频功率晶体管的最新成员。BLF188XR专为最严酷的工程环境而设计,真实条件下耐用性更强, 能够在5dB压缩点承受超过65:1驻波比的严重负载失配。BLF188XR能提供出色的1600 W峰值输出功率,其工作电压可高达60 V,并且仍能通过极为严格的耐用性测试。其他主要特性包括:更强大的集成ESD保护,能使BLF188XR用于C类操作模式;几种增强型功能,能使XR系列器件在多种应用中易于设计和调试。

    BLF188XR另一项令人关注的特性是其卓越的线性度,该特性使BLF188XR成为高功率线性应用的极佳选择。BLF188XR非常适合频率范围小于300 MHz的大规模工业、科学和医疗(ISM)应用,而广受欢迎的BLF578XR系列的建议使用频率范围为500 MHz以内。恩智浦本周在2013年IEEE MTT-S国际微波研讨会(IMS 2013)上展示BLF188XR。
 
    恩智浦半导体射频功率事业部市场总监Mark Murphy表示:“我们的‘超耐用’系列目前具有更强的耐用性,完全满足最苛刻的射频负载要求,并且采用恩智浦最新的高电压LDMOS技术,轻松超越VDMOS的性能、耐用性和可靠性。全新的BLF188XR借助BLF578XR的成功之处,扩展了我们的产品组合,并带来额外的耐用性、线性度、功率和简化设计。凭借作为ISM市场领先的射频功率产品供应商所创下的骄人业绩,我们已将BLF188XR设计为极具吸引力的解决方案,在激光器、MRI、射频照明和射频干燥以及VHF/FM广播发射机等各种低频应用。”


 

关键字:恩智浦  LDMOS  通信技术

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/wltx/2013/0813/article_11739.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
恩智浦
LDMOS
通信技术

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved