恩智浦Gen8+ LDMOS RF功率晶体管推动TD-LTE通讯变革

2013-06-20 17:44:01来源: EEWORLD 关键字:恩智浦  功率  功率晶体管  晶体管

    中国上海,2013年6月20日讯 – 恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克:NXPI)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管,作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品。随着中国开始铺设全球最大4G网络,Gen8+的推出将巩固恩智浦TD-LTE产品组合(目前最完善的TD-LTE LDMOS产品组合)的地位,并且显著提升性能、灵活性和经济性。BLC8G27LS-160AV是即将发布的第一款Gen8+器件,这全球最小也最经济的解决方案,用于有源天线户外基站(2.6 GHz)的15 W和20 W功率放大器。该设备可同时支持多达5个TD-LTE载波,并提供覆盖全波段(2.5至2.7 GHz)的高效率。
 
    Gen8+产品组合的一项突破性功能是采用了空腔塑料(ACP)封装。相比陶瓷封装,ACP更加经济、灵活,这意味着各款新产品将能更快和客户见面。全新ACP封装还允许使用改进型无源器件,通过降低功耗并增加增益和效率来提升性能。Gen8+还加入了大量其他封装选项,包括QFN、OMP和陶瓷封装。

    Gen8+产品组合最初设计用于频率范围在2300-2700 MHz之间的基站应用。作为现有恩智浦LDMOS产品系列的扩展,Gen8+增加了各个波段功耗水平的范围,从5瓦到240瓦不等。Gen8+拥有出色的功率和较小尺寸,这意味着它还能进一步节省成本。

    恩智浦基站功率放大器产品市场总监Christophe Cugge表示:“该产品组合针对支持TD-LTE网络的无线基站、Gen8+的发布以及即将在中国铺设的全球最大4G网络进行了优化。我们提供最完善的此类RF功率产品,重点关注于让客户能够以最低成本提供最佳品质的服务。Gen8+ LDMOS技术运用恩智浦在RF功率产品领域的深厚积淀,以显著的低成本提供前所未有的高性能、低功耗和更高效率,发挥出竞争优势,我们也计划近期将其拓展到在所有其它制式基站应用中去。”

    上市时间
    合格用户可即刻索取Gen8+ ACP产品的工程样本。BLC8G27LS-160AV和其他Gen8+ LDMOS晶体管的样本将于2013年第3季度提供。

关键字:恩智浦  功率  功率晶体管  晶体管

编辑:huimin 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/wltx/2013/0620/article_11668.html
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